【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及参数的确定，具体地说，涉及辐射源强度分布、光学邻近修正规则以及采用光刻投影设备的光刻投影的过程窗口，更具体地说，所述光刻投影设备包括-辐射系统，用于提供辐射投影光束；-支撑结构，用于支撑图案形成装置，图案形成装置用于根据所需图案使投影光束具有图案；-衬底架，用于固定衬底；-投影系统，用于将具有图案的光束投射到衬底的目标部分。
技术介绍
这里所用的术语“图案形成装置”应当广义地理解为表示可用于赋予输入的辐射光束具有图案的截面，所述图案对应于将在衬底的目标部分建立的图案；在这种情况下也可使用术语“光阀”。一般来说，所述图案对应于在目标部分中所建立的诸如集成电路或其它器件(参见以下所述)之类的器件中的特定功能层。这种图案形成装置的实例包括-掩模。掩模的概念在光刻技术中是众所周知的，它包括诸如二元、交替相移、衰减相移之类的掩模类型以及各种混合掩模类型。根据掩模上的图案，这种掩模在辐射光束中的设置使所述辐射的选择性透射(在透射掩模的情况下)或反射(在反射掩模的情况下)照射到掩模上。在掩模的情况下，支撑结构一般是掩模架，它确保掩模能够固定在输入的辐射光束中的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种方法，用于确定供光刻投影设备使用的图案形成装置的投影光束源强度分布和光学邻近修正规则，所述设备包括-辐射系统，用于提供辐射投影光束；-支撑结构，用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置用于使所述投影光束具有与所需图案相应的图案；-衬底架，用于固定衬底；以及-投影系统，用于将所述具有图案的光束投射到所述衬底的目标部分，所述方法的特征在于包括以下步骤选择所述待映射的所需图案的多个特征；抽象地将所述辐射系统中的所述辐射划分为多个源元素；对于每一个源元素计算每一个选择的特征的过程窗口并确定优化所述计算过程窗口的重叠的所述光学邻近修正规则；选择所述过程窗口重叠以及所述光学邻近修正规则满足指定准则的那些源元素；以及输出关于以下各项的数据所述选择的源元素，它定义源强度分布；以及光学邻近修正规则。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于关于选择源元素的所述步骤的一个准则或准则组合是所述重叠过程窗口超过预定阈值。3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于关于选择源元素的所述步骤的一个准则是关于所述选择的元素基本上相同的所述光学邻近修正规则。4.如权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于所述选择所述源元素的步骤包括标识由所述光学邻近规则定义的所述向量空间中具有高密度源元素的区域。5.如以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于还包括根据对应于所述选择的源元素的总和的源强度分布来计算所述输出光学邻近修正规则的步骤。6.如以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于各源元素包括四个子元素，它们对称设置，所述源的各象限中各一个。7.如以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于各源元素包括至少一组两个子元素，所述两个子元素设置在所述源的两个相对的半部分。8.如以上权利要求其中任一项所述的方法，其特征在于将所述辐射划分为多个源元素的所述步骤包括选择第一组子元素；选择第二组子元素；以及创建所述第一和第二组子元素的组合，依次...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·F·A·尤林格斯，A·E·A·库伦，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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