【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种提供一越控电压经由升高一已选择字线到控制栅极的双MONOS半导体内存的电路及方法。本专利技术特别涉及提供一种使用在已选择字线间的电容耦接及邻接控制栅极以在MONOS内存的程序化、清除或读取的模式时升高电压。
技术介绍
高密度闪存阵列已揭露于先前的专利中。美国专利第6,011,725号(Eitan)“二位不易失电子可清除程序化半导体内存单元，是利用不对称电荷捕获”，描述一种内存单元，其是在内存单元剖面区域的多层中使用电荷捕获以储存数据，一单字栅极具有一底部单氧化物/氮化物/氧化物(ONO)混合层，其中在氮化物层中的两个分离位置上捕获电子，因此，数据的2个硬位“hard bits”可储存于一单字栅极下，其大约为单元密度的两倍。双MONOS记体单元结构的特征有别于其它快闪或MONOS EEPROM单元，提供于美国专利第6,255,166 B1号中，由S.Ogura等所申请的专利，名称为“非挥发性内存单元、其程序化及非挥发性内存阵列”，及Y.Hayashi等所申请的美国申请案第03/810,122号，专利名称为“非挥发性内存的阵列结构及操作方法”，于...
【技术保护点】
一种双ＭＯＮＯＳ（金属氧化物－氮化物－氧化物半导体）内存单元的控制栅极及字线电压升压电路，其包含有：一字线，其位于覆盖一薄氧化层上，一控制左栅极，其位于覆盖该薄氧化层中的一氮布植区上；一控制左栅极，其位于覆盖于该薄氧化层中的 一氮布植区上；一控制右栅极，其位于覆盖于该薄氧化层中的另一个氮布植区上；及一位线，其位于该氧化层下的扩散区中。
【技术特征摘要】
1.一种双MONOS(金属氧化物-氮化物-氧化物半导体)内存单元的控制栅极及字线电压升压电路，其包含有一字线，其位于覆盖一薄氧化层上，一控制左栅极，其位于覆盖该薄氧化层中的一氮布植区上；一控制左栅极，其位于覆盖于该薄氧化层中的一氮布植区上；一控制右栅极，其位于覆盖于该薄氧化层中的另一个氮布植区上；及一位线，其位于该氧化层下的扩散区中。2.如权利要求1所述的双MOMOS内存单元的控制栅极及字线电压升压电路，其中该控制栅极包含该控制栅极左侧及该控制栅极右侧，而以形成一2位单元。3.如权利要求1所述的双MOMOS内存单元的控制栅极及字线电压升压电路，其中该2位单元由一左侧位及一右侧位所组成。4.如权利要求1所述的双MOMOS内存单元的控制栅极及字线电压升压电路，其中该左侧位可被选择穿过应用的特定电压，其在一相邻单元的控制栅极或位线上，而不同于已选择单元的电压及其它未选择单元的电压。5.如权利要求1所述的双MOMOS内存单元的控制栅极及字线电压升压电路，其中该字线包含有一寄生电容，其是通过字线多晶硅覆盖于薄氧化层上而形成。6.如权利要求1所述的双MOMOS内存单元的控制栅极及字线电压升压电路，其中与该字线相邻的该控制栅极包含有一寄生电容，其是经由控制栅极多晶硅覆盖在该氮化层及氧化层上而形成。7.如权利要求1所述的双MOMOS内存单元的控制栅极及字线电压升压电路，其中在该字线及该相邻控制栅极间的该电容耦接会在该字线上造成一电压升压。8.如权利要求1所述的双MOMOS内存单元的控制栅极及字线电压升压电路，其中在该相邻位线上的该特殊电压，可升压或升高到所需的等级，其通过电容偶接于该已选择字线及该相邻位线之间。9.如权利要求1所述的双MOMOS内存单元的控制栅极及字线电压升压电路，其中在该相邻控制栅极上的该电压，可升压或升高到必须的等级，其通过电容偶接于该已选择字线及该相邻的控制栅极线之间。10.如权利要求1所述的双MOMOS内存单元的控制栅极及字线电压升压电路，其中该控制栅极与该字线物理性平行设置，以助于在已选择字线及相邻的控制栅极之间的该电容耦接。11.如权利要求1所述的双MOMOS内存单元的控制栅极及字线电压升压电路，其中已选择或传送栅极是沿着内存阵列的位线周期地隔开设置，以便于把该位线的电容隔开成为较小的数值。12.如权利要求1所述的双MOMOS内存单元的控制栅极及字线电压升压电路，其中隔开该位线分割会造成一个低位电容器，其造成减少改变程序化、清除及读取内存模式的电压设定时间。13.如权利要求1所述的双MOMOS内存单元的控制栅极及字线电压升压电路，其中已选择或传送栅极是沿着内存阵列的控制栅极线周期地设置，以便于把该控制栅极的电容隔开成为较小的数值。14.如权利要求1所述的双MOMOS内存单元的控制栅极及字线电压升压电路，其中隔开该控制栅极线会造成较低的控制栅极线电容，其会造成减少改变程序化、清除及读取内存模式的电压重...
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