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本发明提供一种电路及方法，以在双金属氧化物氮化物半导体ＭＯＮＯＳ内存中提供一越控电压到控制栅极，经由升压一已选择位，在本发明中升压的电压是需以程序化、清除及读取２位ＭＯＮＯＳ单元，本发明提供一种装置用以使用电容耦接于已选择字线及邻近控制栅极...
该专利属于哈娄利公司所有，仅供学习研究参考，未经过哈娄利公司授权不得商用。

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