高度湿敏电子器件元件及其制造方法技术

一种高度湿敏电子器件元件及其制造方法，该元件包括封装外壳，外壳将所有高度湿敏电子器件封装在所述基底上，并具有密封材料，其位于所述基底和所述封装外壳之间，从而在所述基底和所述封装外壳之间围绕每个高度湿敏电子器件或围绕成组的多个高度湿敏电子器件形成完全密封。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对封装电子器件内部湿度的控制，尤其涉及具有多个高度湿敏电子器件的，以防止过早器件毁损或者器件性能的过早降低。
技术介绍
在制造中，电子器件通常是通过对包含多个电子器件的大的基底进行加工制成的。这些基底通常是从玻璃、塑料、金属、陶瓷、硅、其他半导体材料或者上述材料的中选择出来的。基底可以是刚性的或者柔性的，可以作为单独的单元或者连续卷状物进行处理。在大的单独基底或者连续卷状物基底上制造多个电子器件的主要原因，是为了通过减少操作、增加生产能力和增加产量来降低生产成本。在微电子行业，硅晶片加工技术已经从2英寸晶片增大到12英寸晶片，极大地降低了成本。在液晶显示器(LCD)行业，玻璃基底加工技术已经从300mm×400mm基底增大到600mm×700mm以上的基底，结果同样是使成本得到极大的降低。在高度湿敏电子器件，例如有机发光器件(OLED)、聚合物发光器件、电荷耦合器件(CCD)传感器和微型机电传感器(MEMS)的制造中，通过在大的单独基底或者连续卷状物基底上制造多个高度湿敏电子器件，同样也可以因生产规模扩大而获得经济上的节约。图1A显示了未封装的高度湿敏电子器件元件1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有高度湿敏电子器件的高度湿敏电子器件元件，该元件包括：ａ）含有两个或多个高度湿敏电子器件的基底；ｂ）封装外壳，其将所有高度湿敏电子器件封装在所述基底上；ｃ）密封材料，其位于所述基底和所述封装外壳之间，以在所述基 底和所述封装外壳之间围绕每个高度湿敏电子器件或围绕成组的多个高度湿敏电子器件形成完全密封。

【技术特征摘要】
1.一种具有高度湿敏电子器件的高度湿敏电子器件元件，该元件包括a)含有两个或多个高度湿敏电子器件的基底；b)封装外壳，其将所有高度湿敏电子器件封装在所述基底上；c)密封材料，其位于所述基底和所述封装外壳之间，以在所述基底和所述封装外壳之间围绕每个高度湿敏电子器件或围绕成组的多个高度湿敏电子器件形成完全密封。2.根据权利要求1所述的高度湿敏电子器件元件，其特征在于，所述基底包括刚性或柔性的玻璃、塑料、金属、陶瓷、半导体、金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、半导体氧化物、半导体氮化物、半导体硫化物、碳或其组合。3.根据权利要求1所述的高度湿敏电子器件元件，其特征在于，所述封装外壳包括刚性或柔性的玻璃、塑料、金属、陶瓷、半导体、金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、半导体氧化物、半导体氮化物、半导体硫化物、碳或其组合。4.根据权利要求1所述的高度湿敏电子器件元件，其特征在于，所述密封材料为经过熔化和冷却或反应固化的有机材料、无机材料或其组合。5.根据权利要求4所述的高度湿敏电子器件元件，其特征在于，所述反应固化包括由加热；辐射；将两个或多个元件混合；暴露于外界水分；除去外界氧气；或其组合产生的反应。6.根据权利要求4所述的高度湿敏电子器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：ML波罗森，J施密滕多尔夫，JP塞尔比基，
申请(专利权)人：伊斯曼柯达公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]