【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】技术邻域本专利技术一般涉及到半导体器件领域，更确切地说是涉及到半导体器件的制造方法和系统。
技术介绍
目前对于减小现有结构的尺寸和制造更小的结构，存在着强烈的发展势头。这一过程通常被称为微制造。微制造已经具有很大影响的一个领域是微电子领域。确切地说，微电子结构尺寸的减小通常允许结构更便宜，性能更高，功耗降低且给定尺寸内包括更多的元件。虽然微制造在电子工业中已经非常活跃，但也已经被应用于其它的领域，例如生物技术、光学系统、机械系统、传感器件、以及反应器。用于微制造工艺的一种方法是压印光刻术(lithograph)。压印光刻术通常被用来以高分辨率对衬底材料上的薄膜进行图形化。被图形化的薄膜可以是电介质、半导体、金属、或有机物，且能够被图形化成薄膜或单个的层。由于压印光刻术对于平整度不如常规光刻技术那样敏感，故压印光刻术对于在辊对辊环境中图形化器件来说特别有用。此外，压印光刻术具有较高的产率，并能够处置更宽的衬底。通常，电子器件的制造需要几个常常必须彼此以接近或甚至超过最小特征尺寸的精度对准的图形化步骤。在常规光刻技术中，光学对准掩模被用来保证各个相继图形化步骤之间的对准。...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用来制造半导体器件的方法，包括提供衬底[410]；在衬底[410]上淀积第一材料层[415]；以及在衬底[410]上形成三维(3D)抗蚀剂结构[420]，其中三维抗蚀剂结构[420]在整个结构[420]中包括多个不同的垂直高度。2.如权利要求1所述的方法，其中，多个不同的垂直高度包括至少一个明显地不同于另一个高度的高度。3.如权利要求2所述的方法，其中，衬底[410]是柔性衬底材料，且形成三维抗蚀剂结构[420]的操作还包括在第一材料层[415]上淀积抗蚀剂层；以及将三维图形转移到抗蚀剂层，以便形成三维抗蚀剂结构[420]。4.如权利要求3所述的方法，其中，将三维图形转移到抗蚀剂层的操作还包括利用印模工具，在抗蚀剂层中形成三维图形；以及对抗蚀剂层进行固化，从而形成三维抗蚀剂结构[420]。5.如权利要求4所述的方法，还包括在衬底上产生交叉点阵列。6.如权利要求5所述的方法，其中，产生交叉点阵列440的操作还包括各向异性腐蚀穿透三维抗蚀剂结构的第一最薄的层，从而暴露第一材料层的第一部分[415’]；腐蚀第一材料层的暴露的第一部分[415’]，以便在衬底[410]中形成多个凹陷[425]，其中多个凹陷[425]的每一个包括比第一材料层[415]的厚度更大的深度；腐蚀穿透三维抗蚀剂结构的第二最薄的层，从而暴露第一材料层的第二部分；腐蚀第一材料层的暴露的第二部分；腐蚀穿透三维抗蚀剂结构的第三最薄的层，从而暴露第一材料层的第三部分[415”]；在第一材料层的暴露部分和三维抗蚀剂结构的剩余部分上，淀积第二材料层[435]，其中第二材料层[435]包括半导体材料和导电材料；以及清除三维抗蚀剂结构的剩余部分。7.如权利要求5所述的方法，其中，产生交叉点阵列的操作还包括各向异性腐蚀穿透三维抗蚀剂结构的第一最薄的层，从而暴露第一材料层的第一部分[615’]；腐蚀第一材料层的暴露的第一部分[615’]，从而暴露一部分衬底；腐蚀穿透三维抗蚀剂结构620的第二最薄的层，从而暴露第一材料层的第二部分[615”]；在第一材料层的暴露部分和三维抗蚀剂结构的剩余部分上，淀积第二材料层[625]，...
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