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一种用来制造半导体器件的方法，包括：　　　　提供衬底［４１０］；　　　　在衬底［４１０］上淀积第一材料层［４１５］；以及　　　　在衬底［４１０］上形成三维（３Ｄ）抗蚀剂结构［４２０］，其中三维抗蚀剂结构［４２０］在整个结构［４２０］中包括多...
该专利属于惠普开发有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过惠普开发有限公司授权不得商用。

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