微型发光二极管显示器及其制造方法技术

本发明专利技术公开配置有微型发光二极管(LED)或纳米发光二极管和晶体管的微型发光二极管显示器及其制造方法。本发明专利技术一实施例的微型发光二极管显示器包括：晶体管，配置在基板上，包括栅极、栅极绝缘膜、活性层、源极及漏极；第一电极层及第二电极层，上述第一电极层从上述晶体管的源极及漏极中的一个延伸，上述第二电极层以与上述第一电极层水平隔开的方式配置在上述基板上；第一固定电极及第二固定电极，上述第一固定电极从上述第一电极层沿着上部方向延伸，上述第二固定电极从上述第二电极层沿着上部方向延伸；以及发光二极管，两端与上述第一固定电极及第二固定电极结合。一固定电极及第二固定电极结合。一固定电极及第二固定电极结合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】微型发光二极管显示器及其制造方法


[0001]本专利技术涉及微型发光二极管显示器，更详细地，涉及配置有微型发光二极管或纳米发光二极管和晶体管的微型发光二极管显示器及其制造方法。

技术介绍

[0002]最近，作为理想的显示器件，微型发光二极管(LED)备受瞩目。
[0003]微型发光二极管显示器具有自身发光特性，当与具有相同的自身发光特性的有机发光二极管相比时，反应速度、亮度、颜色再现性及低电力驱动特性方面更为优秀。微型发光二极管显示器因无机物器件特性而具有高的耐久性和寿命，从而在适用于移动显示器方面更为有利。
[0004]在微型发光二极管的特性上可以组装成模块形式，从而也可适用于超高画质大型显示器。
[0005]并且，微型发光二极管显示器可体现为柔性显示器。
[0006]微型发光二极管通过在RGB像素位置直接植入(转移)发光二极管的方式制造。
[0007]微型发光二极管在商业化方面，应验证大量转移可能性、生产性、工序成本、转移成功率、大面积工序、高集成度及与底板(backplane)的结合兼容性。但是，在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种微型发光二极管显示器，其特征在于，包括：晶体管，配置在基板上，上述晶体管包括栅极、栅极绝缘膜、活性层、源极及漏极；第一电极层及第二电极层，上述第一电极层从上述晶体管的源极及漏极中的一个延伸，上述第二电极层以与上述第一电极层水平隔开的方式配置在上述基板上；第一固定电极及第二固定电极，上述第一固定电极从上述第一电极层沿着上部方向延伸，上述第二固定电极从上述第二电极层沿着上部方向延伸；以及发光二极管，上述发光二极管的两端与上述第一固定电极及上述第二固定电极结合。2.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示器，其特征在于，上述晶体管为底栅顶接触、底栅底接触、顶栅顶接触、顶栅底接触中的一种。3.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示器，其特征在于，在上述第一电极层与上述第二电极层之间包括间隙区域，上述微型发光二极管显示器包括与上述间隙区域的一部分区域重叠的微型发光二极管排列区域。4.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示器，其特征在于，上述第一电极层与上述第二电极层以朝向对方突出的方式配置。5.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示器，其特征在于，两端与上述第一电极层及第二电极层结合的发光二极管从第一电极层上部面及第二电极层上部面隔开配置。6.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示器，其特征在于，上述发光二极管为具有1～100μm的长度的纳米线形态。7.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示器，其特征在于，上述第二电极层与电源电压线或基础电压线连接。8.一种微型发光二极管显示器的制造方法，其特征在于，包括：步骤(a)，在基板上形成包括栅极、栅极绝缘膜、活性层、源极及漏极用金属层的晶体管，并且形成第一电极层及第二电极层，上述第一电极层从上述晶体管的源极及漏极用金属层延伸，上述第二电极层以与上述第一电极层隔着间隙区域来水平隔开的方式形成于上述基板上；步骤(b)，形成绝缘层，其中，上述绝缘层覆盖上述第一电极层与上述第二电极层之间的整个间隙区域，并在上述间隙区域上的上述绝缘层的一部分区域形成沟槽结构的微型发光二极管排列区域；步骤(c)，向上述基板上供给包括发光二极管的流体，向上述第一电极层和上述第二电极层施加电信号来将上述发光二极管排列在上述沟槽结构的微型发光二极管排列区域；步骤(d)，去除在上述绝缘层中上述发光二极管的两端的下侧部分；步骤(e)，在已去除上述绝缘层的区域形...

【专利技术属性】
技术研发人员：金在均，
申请(专利权)人：汉阳大学校ERICA产学协力团，
类型：发明
国别省市：