显示装置和制造显示装置的方法制造方法及图纸

公开了显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括衬底、阻挡层以及在阻挡层上的开关晶体管和驱动晶体管，阻挡层在衬底上并且包括在朝向衬底的方向上凹陷的沟槽区域和围绕沟槽区域并具有平坦的上表面的平坦区域。开关晶体管包括第一有源层、第一栅电极以及第一上电极和第二上电极，第一有源层在阻挡层上，第一有源层的至少一部分位于沟槽区域处，第一有源层包括沟道区域以及在沟道区域的相对侧处的源区域和漏区域，第一栅电极在第一有源层上，第一上电极和第二上电极在第一有源层上并且连接到第一有源层。连接到第一有源层。连接到第一有源层。

【技术实现步骤摘要】
显示装置和制造显示装置的方法


[0001]本公开的实施方式的各方面总体上涉及用于显示图像的显示装置和制造显示装置的方法。

技术介绍

[0002]显示装置以各种方式制造以及使用。显示装置可显示图像以向用户提供视觉信息。这种显示装置可包括使用液晶层发射光的液晶显示装置、使用无机发光二极管发射光的无机发光显示装置和使用有机发光二极管发射光的有机发光显示装置。
[0003]为了使用这种显示装置来显示高质量图像，可能期望在有限的显示区域中排列更多数量的像素。
[0004]在本
技术介绍
部分中公开的以上信息用于增强对本公开的背景的理解，并且因此，其可能包含不构成现有技术的信息。

技术实现思路

[0005]本公开的一个或多个实施方式涉及用于显示图像的显示装置。
[0006]本公开的一个或多个实施方式涉及制造显示装置的方法。
[0007]根据本公开的一个或多个实施方式，显示装置包括衬底、阻挡层以及在阻挡层上的开关晶体管和驱动晶体管，阻挡层在衬底上并且包括在朝向衬底的方向上凹陷的沟槽区域和围绕沟槽区域并具有平坦的上表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：衬底；阻挡层，所述阻挡层在所述衬底上，并且包括：沟槽区域，所述沟槽区域在朝向所述衬底的方向上凹陷；以及平坦区域，所述平坦区域围绕所述沟槽区域，并且具有平坦的上表面；以及开关晶体管和驱动晶体管，所述开关晶体管和所述驱动晶体管在所述阻挡层上，其中，所述开关晶体管包括：第一有源层，所述第一有源层在所述阻挡层上，所述第一有源层的至少一部分位于所述沟槽区域处，所述第一有源层包括沟道区域以及在所述沟道区域的相对侧处的源区域和漏区域；第一栅电极，所述第一栅电极在所述第一有源层上；以及第一上电极和第二上电极，所述第一上电极和所述第二上电极在所述第一有源层上并且连接到所述第一有源层。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述沟道区域位于所述沟槽区域中。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述沟槽区域包括第一子沟槽区域、第二子沟槽区域和在所述第一子沟槽区域与所述第二子沟槽区域之间的鳍状区域，并且其中，所述第一有源层覆盖所述鳍状区域，并且填充所述第一子沟槽区域的至少一部分和所述第二子沟槽区域的至少一部分。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述沟道区域覆盖所述鳍状区域。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述驱动晶体管包括：第二有源层，所述第二有源层在所述阻挡层的所述平坦区域上；第二栅电极，所述第二栅电极在所述第二有源层上；以及第三上电极和第四上电极，所述第三上电极和所述第四上电极在所述第二有源层上并且连接到所述第二有源层。6.根据权利要求5所述的显示装置，还包括：下电极，所述下电极在所述阻挡层与所述第二有源层之间，并且与所述第二有源层重叠，并且其中，所述下电极通过所述第三上电极连接到所述第二有源层。7.根据权利要求6所述的显示装置，还包括：发光元件，所述发光元件在所述第三上电极上，并且电连接到所述第三上电极。8.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：蚀刻停止件，所述蚀刻停止件在所述衬底与所述阻挡层之间。9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述蚀刻停止件包括选自由氧化铟、氧化镓、氧化锌、氧化铪、氧化钛和氧化锆构成的集群中的至少一种。10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述蚀刻停止件包括选自由氧化硅、氮化硅和氮氧化硅构成的集群中的至少一种。11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述沟槽区域暴露所述衬底。12.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：第一绝缘层，所述第一绝缘层在所述第一有源层与所述阻挡层之间；
第二绝缘层，所述第二绝缘层在所述第一有源层上与所述沟道区域重叠；第三绝缘层，所述第三绝缘层覆盖所述第一栅电极、所述源区域和所述漏区域；以及第四绝缘层，所述第四绝缘层在所述第三绝缘层上覆盖所述第一上电极和所述第二上电极，其中，所述第一栅电极与所述第二绝缘层重叠。13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴晙晳，塞伦特，
申请(专利权)人：汉阳大学校ERICA产学协力团，
类型：发明
国别省市：