【技术实现步骤摘要】
显示装置及其制造方法
[0001]本申请要求于2020年7月7日提交的第10
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2020
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0083521号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
[0002]公开涉及一种显示装置及其制造方法，更具体地，涉及一种不包括与数据线设置在同一层中的源电极和漏电极的显示装置及其制造方法。
技术介绍
[0003]在显示装置之中，平板显示装置由于诸如质量轻和厚度薄的期望的特性而备受关注。在平板显示装置之中，发光显示装置是通过使用发射光的发光二极管而不使用单独的光源来显示图像的自发射显示装置。另外，发光显示装置由于诸如功耗低、亮度高和反应速度快的各种期望的特性而作为下一代显示装置引起关注。
[0004]这样的发光显示装置通常包括多个像素，该多个像素包括发光二极管、用于驱动发光二极管的多个晶体管和至少一个电容器。
技术实现思路
[0005]在发光显示装置中，氧化物半导体可以用作晶体管的半导体层。在这样的发光显示装置中，期望降低在制造工艺中使用的掩模...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示装置，所述显示装置包括：基底；第一半导体层，设置在所述基底上，其中，所述第一半导体层包括沟道区和掺杂区；第一栅电极，设置为与所述第一半导体层的所述沟道区叠置；中间膜，设置在所述第一半导体层和所述第一栅电极上；以及第一电极，设置在所述中间膜上，其中，开口被限定为穿过所述中间膜以与所述第一半导体层的所述掺杂区叠置，所述第一半导体层的所述掺杂区和所述第一电极通过所述中间膜的所述开口彼此接触，并且所述中间膜的所述开口的与所述基底平行的剖面的面积在49μm2至81μm2的范围内。2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一半导体层包括氧化物半导体。3.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述中间膜包括氮化硅。4.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：绝缘膜，设置在所述中间膜与所述第一电极之间，其中，所述中间膜的全部区域与所述绝缘膜接触，并且所述绝缘膜包含有机材料。5.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：光阻挡层，设置在所述基底与所述第一半导体层之间，以及缓冲层，设置在所述光阻挡层与所述第一半导体层之间，其中，开口被限定为穿过所述缓冲层以与所述光阻挡层叠置，并且所述第一电极和所述光阻挡层通过所述缓冲层的所述开口彼此接触。6.如权利要求5所述的显示装置，所述显示装置还包括：第二半导体层，与所述第一半导体层设置在同一层中，其中，所述第二半导体层包括沟道区和掺杂区；以及第一连接电极，与所述第一电极设置在同一层中，其中，所述第一连接电极与所述第一栅电极和所述第二半导体层的所述掺杂区接触，并且将所述第一栅电极和所述第二半导体层彼此连接。7.如权利要求6所述的显示装置，所述显示装置还包括：数据线，与所述光阻挡层设置在同一层中，以及第二连接电极，与所述第一电极设置在同一层中，其中，所述第二连接电极与所述数据线和所述第二半导体层的所述掺杂区接触，并且将所述数据线和所述第二半导体层彼此连接。8.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述中间膜的所述开口的与所述基底平行的剖面的形状是从多边形形状、圆形形状、椭圆形形状和包括多条边及将所述多条边彼此连接的曲线的形状中选择的一种。9.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一半导体层的阈值电压在
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1.0V至1.0V的范围内。10.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；第一半导体层，设置在所述基底上，其中，所述第一半导体层包括沟道区和掺杂区；第一栅电极，设置为与所述第一半导体层的所述沟道区叠置；中间膜，设置在所述第一半导体层和所述第一栅电极上；以及第一电极，设置在所述中间膜上，其中，开口被限定为穿过所述中间膜以与所述第一半导体层的所述掺杂区叠置，所述第一半导体层的所述掺杂区和所述第一电极通过所述中间膜的所述开口彼此接触，所述第一半导体层包含氧化物半导体，所述中间膜包含氮化硅，并且所述中间膜的所述开口的宽度在7μm至9μm的范围内。11.如权利要求10所述的显示装置，其中，所述中间膜的所述开口的与所述基底平行的剖面的形状是从多边形形状、圆形形状、椭圆形形状和包括多条边及将所述多条边彼此连接的曲线的形状中选择的一种，当所述开口的所述剖面的所述形状是所述多边形形状或包括所述多条边及将...
【专利技术属性】
技术研发人员：金亨俊，具素英，金亿洙，南润龙，林俊亨，全景辰，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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