发光器件和显示基板制造技术

本实用新型专利技术涉及一种发光器件和显示基板。所述发光器件，包括：至少一个发光结构与第一导热结构，第一导热结构与每个发光结构接触，第一导热结构被配置为将发光结构产生的热量传导出去。根据本实用新型专利技术的实施例，可以通过第一导热结构能够及时将发光结构产生的热量传导出去，能够增加发光器件的散热速度，进而提高发光器件的发光效率。提高发光器件的发光效率。提高发光器件的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
发光器件和显示基板


[0001]本技术涉及显示
，尤其涉及一种发光器件和显示基板。

技术介绍

[0002]相关技术中，发光二极管(LED)发光时会伴随热效应，热效应会导致LED的发光效率的下降。因此，如何提高LED的散热性能是需要解决的一个技术问题。

技术实现思路

[0003]本技术提供一种发光器件和显示基板，以解决相关技术中的不足。
[0004]根据本技术实施例的第一方面，提供一种发光器件，包括：至少一个发光结构与第一导热结构，所述第一导热结构与每个所述发光结构接触，所述第一导热结构被配置为将所述发光结构产生的热量传导出去。
[0005]在一个实施例中，所述发光器件，还包括衬底；所述发光结构位于所述衬底与所述第一导热结构之间；
[0006]所述发光结构包括第一半导体层、发光层与第二半导体层；所述第一半导体层位于所述衬底上，所述发光层位于所述第一半导体层远离所述衬底的一侧，所述第二半导体层位于所述发光层远离所述第一半导体层的一侧；
[0007]所述衬底包括非发光区；
[0008]所述第一导热结构位于所述第二半导体层远离所述发光层的一侧，且在所述衬底上的正投影位于所述非发光区。
[0009]在一个实施例中，所述第一导热结构包括导热层；所述导热层位于所述第二半导体层远离所述发光层的一侧。
[0010]在一个实施例中，所述发光器件还包括第一绝缘层与反射层；所述第一绝缘层位于所述导热层远离所述第二半导体层的一侧，所述反射层位于所述第一绝缘层远离所述导热层的一侧；
[0011]所述第一导热结构还包括第一焊盘，所述第一焊盘位于所述反射层远离所述第一绝缘层的一侧，所述第一焊盘通过所述第一绝缘层上的过孔与所述反射层上的过孔与所述导热层连接。
[0012]在一个实施例中，所述发光器件，包括两个所述发光结构，两个所述发光结构串联。
[0013]在一个实施例中，所述发光器件，还包括第一电极、第二电极与第三电极，两个所述发光结构通过所述第一电极串联；
[0014]两个所述发光结构包括第一发光结构与第二发光结构，所述第一发光结构的第一半导体层与所述第一电极的第一端连接，所述第二发光结构的第二半导体层与所述第一电极的第二端连接；
[0015]所述第二电极与所述第一发光结构中的第二半导体层连接，所述第三电极与第二
发光结构中的第一半导体层连接。
[0016]在一个实施例中，所述发光器件，还包括第一导电层；所述第一导电层位于所述第二发光结构与所述第一绝缘层之间；
[0017]所述衬底还包括第一发光区，所述第一发光区与所述非发光区相邻；所述第一导电层的一部分在所述衬底上的正投影位于所述第一发光区中，且与所述第二发光结构中的第二半导体层连接，所述第一导电层的另一部分在所述衬底上的正投影位于所述非发光区中，且与所述第一电极的第二端连接。
[0018]在一个实施例中，所述发光器件，还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第一发光结构与所述第二发光结构之间，且位于所述第一导电层与所述衬底之间，以及位于所述第一电极与所述衬底之间；
[0019]所述第二绝缘层在所述衬底上的正投影位于所述非发光区中，且所述第二绝缘层的第一端位于所述第二发光结构中的第二半导体层远离所述衬底的一侧，第二端与所述第一发光结构的第一半导体层接触；
[0020]所述第一发光结构中除所述第一半导体层之外的其余层在所述衬底上的正投影位于所述第一半导体层在所述衬底上的正投影内，所述第一发光结构中的第一半导体层包括第一连接部，所述第一连接部在所述衬底上的正投影与所述第一发光结构中除所述第一半导体层之外的其余层在所述衬底上的正投影不存在重合部分，所述第一连接部位于靠近所述第二发光结构的一侧，所述第一连接部与所述第一电极的第一端连接。
[0021]在一个实施例中，所述发光器件，还包括第二导电层；所述第二导电层位于所述第一发光结构与所述第一绝缘层之间；
[0022]所述衬底还包括第二发光区，所述第二发光区与所述非发光区相邻；所述第二导电层的一部分在所述衬底上的正投影位于所述第二发光区中，且与所述第一发光结构中的第二半导体层连接，所述第二导电层的另一部分在所述衬底上的正投影位于所述非发光区中，且与第二电极连连接。
[0023]在一个实施例中，所述发光器件，还包括第三绝缘层，所述第三绝缘层位于所述第二导电层与所述第一发光结构之间；
[0024]所述第三绝缘层在所述衬底上的正投影位于所述非发光区中，且所述第三绝缘层的第一端位于所述第一发光结构中的第二半导体层远离所述衬底的一侧，第二端与所述第一发光结构的第一半导体层接触；
[0025]所述第一发光结构中除所述第一半导体层之外的其余层在所述衬底上的正投影位于所述第一半导体层在所述衬底上的正投影内，所述第一发光结构中的第一半导体层包括支撑部，所述支撑部位于远离所述第二发光结构的一侧，所述第二电极在所述衬底上的正投影位于所述支撑部在所述衬底的正投影内。
[0026]在一个实施例中，所述第二发光结构中除所述第一半导体层之外的其余层在所述衬底上的正投影位于所述第一半导体层在所述衬底上的正投影内，所述第二发光结构中的第一半导体层包括第二连接部，所述第二连接部在所述衬底上的正投影与所述第二发光结构中除所述第一半导体层之外的其余层在所述衬底上的正投影不存在重合部分；所述第二连接部位于远离所述第一发光结构的一侧，所述第二连接部与所述第三电极连接。
[0027]在一个实施例中，所述第二电极与所述第三电极位于所述衬底与所述第一绝缘层
之间；
[0028]所述发光器件还包括第二焊盘与第三焊盘，所述第二焊盘通过所述第一绝缘层上的过孔与所述反射层上的过孔与所述第二电极连接，所述第三焊盘通过所述第一绝缘层上的过孔与所述反射层上的过孔与所述第三电极连接。
[0029]在一个实施例中，所述第二绝缘层包括镂空部，所述第一电极通过所述镂空部与所述衬底接触。
[0030]在一个实施例中，所述衬底的导热系数大于所述第二绝缘层的导热系数。
[0031]在一个实施例中，所述发光器件，还包括第四焊盘，所述第四焊盘通过所述第一绝缘层上的过孔与所述反射层上的过孔与所述第一电极连接。
[0032]在一个实施例中，所述发光器件，包括两个所述发光结构，两个所述发光结构串联；
[0033]所述发光器件还包括衬底；每个所述发光结构包括第一半导体层、发光层与第二半导体层；所述第一半导体层位于所述衬底上，所述发光层位于所述第一半导体层远离所述衬底的一侧，所述第二半导体层位于所述发光层远离所述第一半导体层的一侧；
[0034]所述第一导热结构包括第一电极；两个所述发光结构包括第一发光结构与第二发光结构，所述第一发光结构的第一半导体层与所述第一电极的第一端连接，所述第二发光结构的第二半导体层与所述第一电极的第二端连接；所述第一电极与所述衬底接触；
[003本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：至少一个发光结构与第一导热结构，所述第一导热结构与每个所述发光结构接触，所述第一导热结构被配置为将所述发光结构产生的热量传导出去。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，还包括衬底；所述发光结构位于所述衬底与所述第一导热结构之间；所述发光结构包括第一半导体层、发光层与第二半导体层；所述第一半导体层位于所述衬底上，所述发光层位于所述第一半导体层远离所述衬底的一侧，所述第二半导体层位于所述发光层远离所述第一半导体层的一侧；所述衬底包括非发光区；所述第一导热结构位于所述第二半导体层远离所述发光层的一侧，且在所述衬底上的正投影位于所述非发光区。3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一导热结构包括导热层；所述导热层位于所述第二半导体层远离所述发光层的一侧。4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，还包括第一绝缘层与反射层；所述第一绝缘层位于所述导热层远离所述第二半导体层的一侧，所述反射层位于所述第一绝缘层远离所述导热层的一侧；所述第一导热结构还包括第一焊盘，所述第一焊盘位于所述反射层远离所述第一绝缘层的一侧，所述第一焊盘通过所述第一绝缘层上的过孔与所述反射层上的过孔与所述导热层连接。5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，包括两个所述发光结构，两个所述发光结构串联。6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，还包括第一电极、第二电极与第三电极，两个所述发光结构通过所述第一电极串联；两个所述发光结构包括第一发光结构与第二发光结构，所述第一发光结构的第一半导体层与所述第一电极的第一端连接，所述第二发光结构的第二半导体层与所述第一电极的第二端连接；所述第二电极与所述第一发光结构中的第二半导体层连接，所述第三电极与第二发光结构中的第一半导体层连接。7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，还包括第一导电层；所述第一导电层位于所述第二发光结构与所述第一绝缘层之间；所述衬底还包括第一发光区，所述第一发光区与所述非发光区相邻；所述第一导电层的一部分在所述衬底上的正投影位于所述第一发光区中，且与所述第二发光结构中的第二半导体层连接，所述第一导电层的另一部分在所述衬底上的正投影位于所述非发光区中，且与所述第一电极的第二端连接。8.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第一发光结构与所述第二发光结构之间，且位于所述第一导电层与所述衬底之间，以及位于所述第一电极与所述衬底之间；所述第二绝缘层在所述衬底上的正投影位于所述非发光区中，且所述第二绝缘层的第一端位于所述第二发光结构中的第二半导体层远离所述衬底的一侧，第二端与所述第一发
光结构的第一半导体层接触；所述第一发光结构中除所述第一半导体层之外的其余层在所述衬底上的正投影位于所述第一半导体层在所述衬底上的正投影内，所述第一发光结构中的第一半导体层包括第一连接部，所述第一连接部在所述衬底上的正投影与所述第一发光结构中除所述第一半导体层之外的其余层在所述衬底上的正投影不存在重合部分，所述第一连接部位于靠近所述第二发光结构的一侧，所述第一连接部与所述第一电极的第一端连接。9.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，还包括第二导电层；所述第二导电层位于所述第一发光结构与所述第一绝缘层之间；所述衬底还包括第二发光区，所述第二发光区与所述非发光区相邻；所述第二导电层的一部分在所述衬底上的正投影位于所述第二发光区中，且与所述第一发光结构中的第二半导体层连接，所述第二导电层的另一部分在所述衬底上的正投影位于所述非发光区中，且与第二电极连接。10.根据权利要求9所述的发光器件，其特征在于，还包括第三绝缘层，所述第三绝缘层位于所述第二导电层与所述第一发光结构之间；所述第三绝缘层在所述衬底上的正投影位于所述非发光区中，且所述第三绝缘层的第一端位于所述第一发光结构中的第二半导体层远离所述衬底的一侧，第二端与所述第一发光结构的第一半导体层接触；所述第一发光结构中除所述第一半导体层之外的其余层在所述衬底上的正投影位于所述第一半导体层在所述衬底上的正投影内，所述第一发光结构中的第一半导体层包括支撑部，所述支撑部位于远离所述第二发光结构的一侧，所述第二电极在所述衬底上的正投影位于所述支撑部在所述衬底的正投影内。11.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述第二发光结构中除所述第一半导体层之外的其余层在所述衬底上的正投影位于所述第一半导体层在所述衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙双，彭宽军，张方振，陈婉芝，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：