【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件，并且特别涉及一种，该电容器通过使用沟槽内的基座(pedestal)的内嵌工艺制造，从而增加所得电容器的表面积。
技术介绍
在半导体制造工艺中，一般沉积并构图绝缘、导电和半导电材料层来形成集成电路(IC)。接触孔，即开口，一般也形成在诸如层间电介质(ILDinter-level dielectric)的绝缘材料中。这些通孔随后可填充以导电材料，从而互连各个层次上的电学器件和引线。类似地，内嵌工艺包括在绝缘层中按期望图案蚀刻沟槽以用于引线。这些沟槽随后填充以导电材料，以填满内嵌区域，从而在内嵌区域内产生集成的引线。另外，在那些接触孔还从沟槽底部向下延伸的IC中，向下延伸的通孔可同时填充以导电材料。这种工艺公知为IC的双重内嵌工艺(dualdamascene processing)。近来的半导体器件制造技术在具有小的形体尺寸的半导体器件中使用铜(Cu)作为引线材料，因为铜具有很低的电阻率和很高的电迁移阻抗(electro-migration resistance)。然而，铜复杂的化学反应使得铜难以被构图并用于金属引线。例如，在暴露于空气...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种形成电容器的方法，包括在衬底上设置层间电介质；在所述层间电介质中蚀刻沟槽；在所述沟槽内沉积导电材料；在所述沟槽内形成至少一个导电基座，其直接位于所述导电材料的暴露部分上，用于增大所述电容器的表面积，从而使得所述电容器能够具有明显更高的电容量，所述导电材料和所述至少一个导电基座形成了连续导电部件；沉积至少一层高k介电层；以及使用所述连续导电部件形成所述电容器的至少一个电极。2.如权利要求1所述的方法，其中所述电容器还包括下面的阻挡层，而所述沟槽蚀刻停止在所述下面的阻挡层的顶面处。3.如权利要求2所述的方法，还包括在沟槽内形成基座后去除下面的阻挡层的步骤。4.如权利要求1所述的方法，其中所述衬底从由硅衬底、Si3N4衬底和互连层的蚀刻停止层构成的组中选取。5.如权利要求1所述的方法，其中沟槽的侧壁和底面以及所述沟槽中的所述至少一个导电基座的侧壁和顶面一同增大了所述电容器的所述表面积。6.如权利要求1所述的方法，其中至少一个导电基座形成为至底导电材料的延伸，从而形成单个连续底电极。7.如权利要求1所述的方法，其中至少一个导电基座通过导电金属的化学镀形成。8.如权利要求1所述的方法，其中至少一个导电基座通过铜的电镀形成。9.如权利要求1所述的方法，还包括在多个沟槽内形成多个导电基座，从而最大化所述电容器的表面积。10.如权利要求9所述的方法，其中所述多个导电基座具有各种形状和尺寸。11.一种形成电容器的方法，包括在衬底上设置第一层间电介质；在所述第一层间电介质中蚀刻第一沟槽；在所述第一沟槽内沉积第一导电材料；至少在所述导电材料上沉积第二层间电介质；在所述沟槽内的所述第一导电材料上的所述第二层间电介质中蚀刻第二沟槽，从而暴露下面的所述第一导电材料的部分；在所述暴露的第一导电材料上沉积第二导电材料以在所述第一和第二沟槽内形成导电基座，从而增大所述电容器的表面积，使得所述电容器能够具有明显更高的电容量，所述第一导电材...
【专利技术属性】
技术研发人员：道格拉斯·D·库尔鲍，约翰·M·科蒂，埃贝尼泽·E·伊舒恩，肯尼思·J·斯坦，理查德·P·沃兰特，库纳尔·韦德，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：
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