【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光刻投射设备，其包括用于提供辐射投射光束的辐射系统；用于支承形成图案装置的支承结构，所述形成图案装置用于根据所需图案使得投射光束图案化；用于保持基底的基底台；以及用于将图案化的光束投射到基底的靶部上的投射系统。
技术介绍
这里使用的术语“形成图案装置”应广意地解释为能够使入射的辐射射束在截面中带有图案的部件，其中所述图案与要在基底的靶部上形成的图案一致；本文中也使用术语“光阀”。一般地，所述图案与在靶部中形成的器件的特殊功能层相对应，如集成电路或者其它器件(如下文)。这种形成图案装置的示例包括掩模，掩模的概念在光刻中是公知的。它包括如二进制型、交替相移型和衰减相移类型，以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射光束中的布置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性地被透射(在透射掩模的情况下)或者被反射(在反射掩模的情况下)。在使用掩模的情况下，支承结构一般是一个掩模台，它能够保证掩模被保持在入射光束中的理想位置，并且如果需要该台能够相对光束移动。程控反射镜阵列，这种设备的一个例子是具有一粘弹性控制层和一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的理...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光刻投射设备，其包括用于支承形成图案装置的支承结构，该形成图案装置用来按照所需图案为投射射束形成图案；用于保持基底的基底台；用于将形成图案射束投射在基底靶部的投射系统；其特征在于，该设备还包括连接到气体源上并提供自由基射束的向下流自由基产生源；以及用于将所述自由基射束引导在将要清理的表面上的装置。2.如权利要求1所述的光刻投射设备，其特征在于，所述自由基射束包括大致没有离子化的粒子。3.如权利要求1或2所述的光刻投射设备，其特征在于，所述气体源可供应至少一种氧、氢和氟，所述向下流自由基产生源相应地产生氧、氢或氟自由基之一的射束。4.如权利要求1、2或3所述的光刻投射设备，其特征在于，所述将要清理的光学表面位于形成图案装置、传感器、透镜、偏转器和用于反射投射射束和形成图案射束之一的反射器上。5.如上述权利要求任一项所述的光刻投射设备，其特征在于，向下流自由基产生源的位置是固定的并且用于引导所述自由基射束到达将要清理的表面的所述装置包括用于运动含有所述表面的部件使得自由基射束入射在所述表面上的装置。6.如上述权利要求任一项所述的光刻投射设备，其特征在于，该向下流自由基产生源包括至少一种RF线圈、一对D...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·C·范比克，L·P·巴克，T·H·J·比斯肖普斯，J·乔克斯，M·克鲁恩，R·A·M·沃特斯，A·J·H·马亚斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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