一种无掩模纳米图形制作方法及其制作装置制造方法及图纸

一种无掩模纳米图形制作方法，其特征在于：包括下列步骤：　　　　（１）产生亚稳态原子流；　　　　（２）将亚稳态原子流射入真空工作室中，利用真空室中加有偏转电压的平板电极产生偏转电场区，除掉原子流中的电子和正离子，并用带小孔的光阑对原子流进行准直，将发散角很大的原子挡去，余下发散角很小的原子流；　　　　（３）将发散角很小的亚稳态原子流继续入射，并在激光束和反射激光束的重叠区形成的激光驻波场中发生激光淬火过程，形成横向周期分布，亚稳态原子破坏吸附在硅基底表面的ＳＡＭ（自组装单分子）膜；　　　　（４）最后再利用湿法刻蚀技术在硅基底上得到金属纳米图形。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种纳米图形的制作方法及其制作装置，特别是一种无掩模纳米图形制作方法及其制作装置。
技术介绍
现有的制作纳米图形的制作方法及其装置可通过曝光系统完成，曝光系统分辨力的提高虽然可通过增大光刻物镜的数值孔径和缩短曝光波长来实现，然而波长的减小和数值孔径的进一步增大将使焦深和视场范围迅速缩小，影响工艺因子，使高分辨力的优点不能充分利用，面临着必须克服焦深缩短所带来的问题，而且曝光波长越短的光刻系统，设计与制作越困难，成本越高；特别是在制作时需要使用多种高精密仪器，而且必须制作掩模，成本高。
技术实现思路
本专利技术的技术解决问题是克服现有技术的不足，提供一种可以节约大量设备和仪器，不需要掩模和曝光系统的无掩模纳米图形制作方法及其制作装置。本专利技术的技术解决方案是一种无掩模纳米图形制作方法，其特点在于包括下列步骤(1)产生亚稳态原子流；(2)将亚稳态原子流射入真空工作室中，利用真空室中加有偏转电压的平板电极产生偏转电场区，除掉原子流中的电子和正离子，并用带小孔的光阑对原子流进行准直，将发散角很大的原子挡去，余下发散角很小的原子流；(3)将发散角很小的亚稳态原子流继续入射，并在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无掩模纳米图形制作方法，其特征在于包括下列步骤(1)产生亚稳态原子流；(2)将亚稳态原子流射入真空工作室中，利用真空室中加有偏转电压的平板电极产生偏转电场区，除掉原子流中的电子和正离子，并用带小孔的光阑对原子流进行准直，将发散角很大的原子挡去，余下发散角很小的原子流；(3)将发散角很小的亚稳态原子流继续入射，并在激光束和反射激光束的重叠区形成的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈献忠，姚汉民，陈旭南，石建平，李展，高洪涛，陈元培，
申请(专利权)人：中国科学院光电技术研究所，
类型：发明
国别省市：