用于施加应力图形的隔离结构制造技术

一种用于在衬底中形成的器件的隔离结构，该器件各自具有纵向和横向，该结构包括：　　　　用于器件中的第一个器件的第一隔离区，在该第一隔离区中具有第一隔离材料，该材料沿纵向和横向对器件中的第一个器件施加第一种类型的机械应力。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于改善器件特性的半导体器件的制造方法，并涉及所产生的独特的高性能器件结构。具体地说，本专利技术通过在器件制造期间在器件的衬底中从结构上施加张力和压缩力来改善FET器件中的电荷迁移率。
技术介绍
在半导体器件设计领域，已知在器件衬底中的机械应力可以调整器件性能。单个的应力张量分量对PFET和NFET的器件性能产生不同的影响。上述通过增强应力来获得的改进容易集中到在特定的执行环境以外的一种或另一种类型的器件上，例如在IC芯片中。为了使IC芯片中的PFET和NFET的性能最大化，对应力分量需要同时进行不同的设计和应用。在本专利技术中，我们示出了制造方法和得到的结构，该结构已被施加用于改善在公共衬底中的单个器件以及同时至少两个器件的性能所需的适当的应力场。Hamada等人在IEEE Transactions on Electron Devices，Vol.38 No.4发表的“ANew Aspect of Mechanical Stress Effects in Scaled MOS Devices”(April 1991)显示用互导偏差来修正重量所导致的纵向和横向的张力本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于在衬底中形成的器件的隔离结构，该器件各自具有纵向和横向，该结构包括用于器件中的第一个器件的第一隔离区，在该第一隔离区中具有第一隔离材料，该材料沿纵向和横向对器件中的第一个器件施加第一种类型的机械应力。2.根据权利要求1的隔离结构，还包括用于器件中的第二个器件的第二隔离区，在该第二隔离区中具有第一隔离材料，该材料沿横向对器件中的第二个器件施加该第一种类型的机械应力；以及用于器件中的第二个器件的第三隔离区，在该第三隔离区中具有第二隔离材料，该材料沿纵向对器件中的第二个器件施加第二种类型的机械应力。3.根据权利要求2的隔离结构，其中，器件中的第一个器件为NFET，器件中的第二个器件为PFET。4.根据权利要求3的隔离结构，其中，第一隔离材料为TEOS，第二隔离材料为HDP。5.一种在衬底中制造器件的方法，该器件分别具有沿纵向延伸的侧面和沿横向延伸的端部，该方法包括在器件中的第一个器件的侧面形成第一隔离区；在器件中的第一个器件的端部形成第二隔离区；以及在第一隔离区中提供第一隔离材料，以便沿横向对器件中的第一个器件施加第一种类型的机械应力；以及在第二隔离区中提供第二隔离材料，以便沿纵向对器件中的第一个器件施加第二种类型的机械应力。6.根据权利要求5的方法，该方法还包括在器件中的第二个器件的侧面和端部形成第三隔离区；以及在第三隔离区中提供第一隔离材料，以便沿纵向和横向对器件中的第二个器件施加第一种类型的机械应力。7.根据权利要求6的方法，其中，器件中的第一个器件为PFET，器件中的第二个器件为NFET。8.根据权利要求7的方法，其中，第一隔离材料为TEOS，第二隔离材料为HDP。9.一种在衬底中制造器件的方法，该器件各自具有沿纵向延伸的侧面和沿横向延伸的端部，该方法包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·奇丹巴尔拉奥，O·H·多库马茨，B·B·多里斯，J·A·曼德尔曼，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：