集成电路中调整电阻之方法及电路技术

一种于一集成电路中调整一电阻之方法，该电阻系具有一第一导电区域（１）及一第二导电区域（３），而于该两导电区域之间系配置一电阻区域（２），一规划电流系透过该电阻而导通，该规划电流系加以选择以调整该电阻之一电阻值，而该电阻值系选自一电阻范围并取决于该规划电流。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术系关于一种于集成电路中调整电阻之方法，特别地是用于调整熔丝构件(fuse component)之电阻值。本专利技术更相关于使如此之电阻可加以调整之电路。
技术介绍
于集成电路中是需要电阻的，而其电阻值必须精准地加以调整地较大或较小，举例而言，电阻值于集成电路中藉由使用具有相对应掺杂之信道而加以执行，而这将导致大区域固定的电阻，而此很难控制。其亦异有可能使用晶体管作为电阻组件，但并非完全透过该晶体管进行转换，这会导致非线性地电阻特性以及此种电阻需要相对而言较大之区域。另外，可使用高电阻导体磁道(high-resistance conductortracks)，其可藉由雷射而加以修整成一所需之值，而此仅存之可能性只有在该集成电路之表面系为可存取时，亦即仅于为封装之芯片的例子中。
技术实现思路
因此，本专利技术之目的在于提供一电阻构件，以用于一集成电路中整合之用，而该电阻构件之电阻值可以一简单解精确之方式而加以调整，并且该电阻构件仅需要小区域。此一目的系藉由如权利要求第一项之方法以及权利要求第五项之电路而达成。本专利技术更进一步之较佳实施例系明确说明于附属项中。根据本专利技术第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种于一集成电路中调整一电阻之方法，该电阻系具有一第一导电区域(1)及一第二导电区域(3)，而于该两导电区域之间系配置一电阻区域(2)，一规划电流系透过该电阻而导通，该规划电流系加以选择以调整该电阻之一电阻值，而该电阻值系选自一电阻范围并取决于该规划电流。2.如权利要求第1项所述之方法，其中该电阻系使用于一电路中，该规划电流系以该电阻基本上系与由该电路所决定之一操作电流无关之方式而加以选择。3.如权利要求第1或第2项所述之方法，其中该规划电流系施加于该集成电路之一外部连接。4.如权利要求第1或第2项其中之一所述之方法，其中该规划电路系产生于该集成电路之内部。5.一种于一集成电路中调整一电阻之电路，该电阻系具有一第一导电区域(1)及一第二导电区域(3)，而于该两导电区域之间系配置一电阻区域(2)，并且为了调整选自一电阻范围之一电阻值，一规划电路系加以提供以透过该电阻而导通一已定义之规划电流。6.如权利要求第5项所述之电路，其中该电阻区域(2)系具有一介电区域，以形成一反熔丝结构(antifuse structure)作为该电阻。...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·沙姆伯格，J·彼得，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：