【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及主要在半导体制造装置上使用的水分发生供给装置及在该装置上使用的水分发生用反应炉。更详细地说,涉及通过将水分气体在减压状态下供给下流侧、以提高水分发生用反应炉内的内压,可防止水分发生用反应炉内的氢自燃的减压型水分发生供给装置,和用散热用的散热片对水分生成反应产生的反应热进行强制散热,可在安全温度区域内增加水分生成量的散热式水分发生用反应炉。
技术介绍
例如,在半导体制造中用水分氧化法形成硅的氧化膜时,往往在标准状态下需要1000cc/min以上的超高纯度水。为此,本专利申请人以前开发了图5和图6所示构造的水分发生用反应炉,该专利技术已经公开。即图5所示的反应炉主体1是将具有原料气体供给用接头9的入口侧炉主体部件2和具有水分气体取出用接头12的耐热性出口侧炉主体部件3相向地组合而成的。在该反应炉主体1的内部,入口侧反射体8和出口侧反射体11分别与上述原料气体供给通路7和水分气体出口通路10相对向进行配置,并用螺栓5固定。在出口侧炉主体部件3的内壁面上形成镀铂催化剂层13。在入口侧炉主体部件2的内壁面和各反射体8、11的外壁面上形成由后述的TiN等氮化 ...
【技术保护点】
一种散热式水分发生用反应炉,其特征在于:该散热式水分发生用反应炉包括下述部分:将入口侧炉主体部件和出口侧炉主体部件组合起来而形成有内部空间的反应炉主体;穿设在入口侧炉主体部件上,将原料气体导入内部空间的原料气体供给通路;与该原料气体供给通路连接的原料气体供给用接头;穿设在出口侧炉主体部件上,从内部空间导出生成水的水分气体出口通路;与该水分气体出口通路连接的水分气体取出用接头;与气体供给通路相向地配设在该反应炉主体的内部空间内的入口侧反射体;与水分气体出口通路相向地配设在上述内部空间内的出口侧反射体;形成于上述出口侧炉主体部件内壁面上的镀铂催化剂层;贴紧在上述出口侧炉主体部件 ...
【技术特征摘要】
JP 1999-8-6 223548/99;JP 1999-11-30 338882/991.一种散热式水分发生用反应炉,其特征在于该散热式水分发生用反应炉包括下述部分将入口侧炉主体部件和出口侧炉主体部件组合起来而形成有内部空间的反应炉主体;穿设在入口侧炉主体部件上,将原料气体导入内部空间的原料气体供给通路;与该原料气体供给通路连接的原料气体供给用接头;穿设在出口侧炉主体部件上,从内部空间导出生成水的水分气体出口通路;与该水分气体出口通路连接的水分气体取出用接头;与气体供给通路相向地配设在该反应炉主体的内部空间内的入口侧反射体;与水分气体出口通路相向地配设在上述内部空间内的出口侧反射体;形成于上述出口侧炉主体部件内壁面上的镀铂催化剂层;贴紧在上述出口侧炉主体部件外壁面上的散热片底板;立设在该散热片底板上的多个散热用散热片;贴紧在上述出口侧炉主体部件外壁面上的加热器;贴紧在上述加热器外壁面上的加热器压板;贴紧在上述加热器压板上的散热片底板;立设在该散热片底板上的多个散热用散热片,在400℃以下的温度下,用于由氢和氧通过催化剂反应而发生水分气体。2.一种散...
【专利技术属性】
技术研发人员:大见忠弘,池田信一,皆见幸男,川田幸司,米华克典,本井傅晃央,平井畅,森本明弘,成相敏朗,平尾圭司,田口将暖,中村修,
申请(专利权)人:株式会社富士金,大见忠弘,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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