快闪存储器块报废策略制造技术

本文中揭示用于快闪存储器块报废策略的装置及技术。在实例实施例中，响应于在第一存储器块中遇到超过第一错误阈值的读取错误而解除所述第一存储器块的使用状态。将可复原数据从所述第一存储器块复制到第二存储器块。在多次反复中的每一者期间，擦除并编程所述第一存储器块，且读取所述第一存储器块的每一页面。响应于所述页面在所述多次反复期间都未展现超过第二错误阈值的读取错误，使所述第一存储器块返回到使用状态。储器块返回到使用状态。储器块返回到使用状态。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】快闪存储器块报废策略
[0001]优先权申请案
[0002]本申请案主张2017年8月30日申请的序列号为15/690,903的美国申请案的优先权的权益，所述申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术介绍

[0003]存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含易失性存储器及非易失性存储器。
[0004]易失性存储器需要电力来维持其数据，且其包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)或同步动态随机存取存储器(SDRAM)等。
[0005]非易失性存储器可在未被供电时保存所存储数据，且其包含快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、静态RAM(SRAM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电阻可变存储器(例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、磁阻式随机存取存储器(MRAM))或3D XPoint
TM
存储器等。
[0006]利用快闪存储器作为广泛范围的电子应用的非易失性存储器。快闪本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于实施用于快闪存储器阵列的存储器块报废策略的方法，所述方法包括：响应于在所述快闪存储器阵列的第一存储器块中遇到超过第一错误阈值的读取错误：临时解除所述第一存储器块的使用状态，所述第一存储器块包括多个存储器页面；将所述第一存储器块的可复原数据复制到所述快闪存储器阵列的第二存储器块；在所述解除所述第一存储器块的使用状态及所述将所述第一存储器块的所述可复原数据复制到所述第二存储器块之后，在多次反复中的每一者期间：擦除所述第一存储器块；在所述擦除所述第一存储器块之后编程所述第一存储器块；在所述编程所述第一存储器块之后读取所述第一存储器块的所述多个存储器页面；及在所述读取所述多个存储器页面期间确定所述多个存储器页面中的至少一者是否展现超过第二错误阈值的读取错误；及响应于在所述多次反复期间所述多个存储器页面在所述多个存储器页面的所述读取期间都未展现超过所述第二错误阈值的读取错误而使所述第一存储器块返回到使用状态。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：响应于所述多个存储器页面中的至少一者在所述多次反复期间展现超过所述第二错误阈值的读取错误而永久报废所述第一存储器块的使用状态。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二存储器块包括来自自由存储器块集区的存储器块，且所述方法进一步包括：在所述将所述第一存储器块的所述可复原数据复制到所述第二存储器块之后使所述第二存储器块回到使用状态。4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的方法，其中所述使所述第一存储器块返回到使用状态包括：使所述第一存储器块返回到自由存储器块集区。5.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的方法，其中所述第一错误阈值包括可校正错误阈值，且所述第一存储器块的所述可复原数据包括所述第一存储器块的全部数据。6.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的方法，其中所述第一错误阈值包括无法校正错误阈值，且所述第一存储器块的所述可复原数据包括少于所述第一存储器块的全部数据。7.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的方法，其中所述在所述第一存储器块中遇到所述读取错误发生在采用所述第一存储器块的每一存储器单元的控制门的默认读取电压的读取操作期间。8.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的方法，其中所述在所述第一存储器块中遇到所述读取错误发生在采用从所述第一存储器块的每一存储器单元的所述控制门的默认读取电压偏移的读取电压的读取操作期间。9.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的方法，其中所述读取所述第一存储器块的所述多个存储器页面包括：在所述多次反复的反复期间改变所述多个存储器页面中的至少一者的读取电压。10.根据权利要求9所述的方法，其中采用所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：H，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：