存储器单元及存储器阵列的操作方法、装置制造方法及图纸

本公开提供了一种存储器单元及存储器阵列的操作方法、装置。其中，所述存储器单元包括忆阻器单元，存储器单元的操作方法包括：读取忆阻器单元的当前电导；根据当前电导和设定目标电导之间的对应关系，基于设定目标电导判断符合电导电压关系的存储器单元的操作电压；以及对存储器单元施加操作电压，完成对忆阻器单元的单脉冲编程操作。因此，通过目标电导确定符合电导电压关系的操作电压，使得向存储器单元施加该操作电压进行编程操作的情况下，对应忆阻器单元可以实现电导的精确调节，且编程后不需要读操作，显著提升忆阻器器件的编程效率，同时兼顾了编程速度和编程精度。同时兼顾了编程速度和编程精度。同时兼顾了编程速度和编程精度。

【技术实现步骤摘要】
存储器单元及存储器阵列的操作方法、装置


[0001]本公开涉及半导体器件及集成电路
，尤其涉及一种存储器单元及存储器阵列的操作方法、装置。

技术介绍

[0002]忆阻器由于其具有编程能耗低、电导可连续调节、非挥发、集成密度高、可并行操作等优点，被认为适合作为突触单元应用于神经形态计算系统中。其中，忆阻器不仅能够实现生物突触所特有的学习规则(如长时/短时可塑性等)用于构建脉冲神经网络，还能够作为电子突触用于构建人工神经网络以加速计算效率的同时减小硬件开销。

技术实现思路

[0003](一)要解决的技术问题
[0004]为解决现有技术中存储器单元及存储器阵列的操作过程中所存在的技术问题至少之一，本公开提供了一种存储器单元及存储器阵列的操作方法、装置。
[0005](二)技术方案
[0006]本公开的一个方面提供了一种存储器单元的操作方法，所述存储器单元包括忆阻器单元，其中，包括：读取忆阻器单元的当前电导；根据当前电导和设定目标电导之间的对应关系，基于设定目标电导判断符合电导电压关系的存储器单元的操作电压本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器单元的操作方法，所述存储器单元包括忆阻器单元，其中，包括：读取所述忆阻器单元的当前电导；根据所述当前电导和设定目标电导之间的对应关系，基于所述设定目标电导判断符合电导电压关系的所述存储器单元的操作电压；以及对所述存储器单元施加所述操作电压，完成对所述忆阻器单元的单脉冲编程操作。2.根据权利要求1所述的操作方法，其中，在所述读取所述忆阻器单元的当前电导之前，还包括：获取所述忆阻器单元的电导变化曲线；对所述电导变化曲线进行拟合，以确定所述电导电压关系，其中，所述电导电压关系为所述设定目标电导与所述操作电压之间的对应关系。3.根据权利要求2所述的操作方法，其中，所述电导变化曲线包括电导增强特性变化曲线和/或所述电导抑制特性变化曲线；所述电导电压关系包括对应所述电导增强特性变化曲线的SET操作的字线电压与所述设定目标电导之间的对应关系和/或对应所述电导抑制特性变化曲线的RESET操作的源线电压与所述设定目标电导之间的对应关系；其中，所述操作电压包括所述字线电压和/或所述源线电压。4.根据权利要求1所述的操作方法，其中，在所述读取所述忆阻器单元的当前电导中，包括：响应于编程请求指令，对所述忆阻器单元执行读取操作，以生成所述当前电导。5.根据权利要求1所述的操作方法，其中，在根据所述当前电导和设定目标电导之间的对应关系，基于所述设定目标电导判断符合电导电压关系的所述存储器单元的操作电压中，包括：当所述当前电导小于所述设定目标电导时，根据所述设定目标电导判断符合所述电导电压关系的字线电压；或者当所述当前电导大于所述设定目标电导时，根据所述设定目标电导判断符合所述电导电压关系的源线电压。6.根据权利要求5所述的操作方法，其中，在所述对所述存储器单元施加所述操作电压，完成对所述忆阻器单元的单脉冲编程操作中，包括：对所述存储器单元的字线施加所述字线电压，对所述存储器单元的位线施加位线正电压，对所述存储器单元的源线接地，完成对所述忆阻器单元的单脉冲SET操作...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄鹏，冯玉林，刘力锋，刘晓彦，康晋锋，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：