闸流体结构及具有该闸流体结构的过电压保护装置制造方法及图纸

本发明专利技术系关于一闸流体结构，包括一第一连接（１），用以做为一第一导电型态之一第一区域。第二导电型态之一第二区域（２）邻近该第一区域（１）。第一导电型态之一第三区域（３），其比第二区域（２）宽，具有与后者之一共同表面。做为一第四区域之第二导电型态之一第二连接（４）邻近该第三区域。一辅助电极（６，７）位于该第二区域（２）与该第三区域（３）之该共同区域上，该电极于该二区域之至少一者相接邻。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术系关于闸流体结构及依据申请专利范围第1至4项之过电压保护装置。现今具有平面结构之闸流体结构于使用CMOS技术时是平常的。一种典型的闸流体结构表示于图三。在此一组件的表面上设置相邻的一n-型态区域2以及一p-型态区域3，该等区域也形成所谓的闸流体结构的基体区域。代表阳极端的p+区域1被形成于n-型区域2之中。形成于p-型区域3之中的n+型区域4代表阴极端。形成于p-型区域3之中的p+型区域5接着形成控制端。在以上所述之结构的制程中，一厘的氮化物层被施加于表面8之上。该硅氮化物层中的电荷导致寄生场效应。如果于制程中在表面8，于区域2及3中包含污染务，则可能发生相同的效应。以上所述之闸流体结构经常被使用于称为ESD的过电压保护设计。ESD保护通常被用于集成电路的MOS输入级。过电压侦测器被设置于将被保护的集成电路的部份，该过电压侦测器连接于该闸流体之控制端。此型态的设计描述于US 4,896,243。闸流体的阳极及阴极依序连接至将被保护之组件的供应电源，如果供应电源将被监视的话。如果随后发生过电压，闸流体经由控制端被开启且此过电压被移除。如果如上所述之寄生场效应晶体管形成，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种闸流体结构，具有：　　　　一第一端（１）被形成做为一第一区域，具有一第一导电形态；　　　　第二导电型态之一第二区域（２），其邻近该第一区域（１）；　　　　第一导电型态之一第三导电区域（３），其邻近该第二区域（２）并与后者具有一共同表面（８），以及　　　　一第二端（４），做为第二导电型态之第四区域，邻近该第三区域，　　　　于该情况中，该第二区域（２）及该第三区域（３）之共同表面处，一辅助电极（６，７）以邻近该二区域之至少一者的方式设置，特征在于一辅助电极（６，７）以位于第二区域（２）与第三区域（３）之共同表面（８）之上的方式邻近该第二区域（２）及该第三区域（３）。

【技术特征摘要】
DE 2001-3-9 10111462.11.一种闸流体结构，具有一第一端(1)被形成做为一第一区域，具有一第一导电形态；第二导电型态之一第二区域(2)，其邻近该第一区域(1)；第一导电型态之一第三导电区域(3)，其邻近该第二区域(2)并与后者具有一共同表面(8)，以及一第二端(4)，做为第二导电型态之第四区域，邻近该第三区域，于该情况中，该第二区域(2)及该第三区域(3)之共同表面处，一辅助电极(6，7)以邻近该二区域之至少一者的方式设置，特征在于一辅助电极(6，7)以位于第二区域(2)与第三区域(3)之共同表面(8)之上的方式邻近该第二区域(2)及该第三区域(3)。2.如申请专利范围第1项之闸流体结构，特征在于该辅助电极(6，7)系从由多晶硅制成之...

【专利技术属性】
技术研发人员：C彼得斯，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]