【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种具有多个功率晶体管等的大容量功率单元的半导体装置。
技术介绍
半导体装置中，有设有多个功率晶体管等的大容量功率单元的，并且这些功率单元相互邻接配置(参照专利文献1)。这种情况下，有必要减低这些多个大容量功率单元间的特性的相对的不一致性。作为减低该相对的不一致性的方法，有如图8所示的方法。图8是表示设有2个功率晶体管1A、1B的半导体集成电路200的构成的图。功率晶体管1A、1B，根据介由信号线3A、3B分别从包含信号处理电路或前级激励电路等的控制电路2A、2B供给的控制信号，其动作状态受到控制。功率晶体管1A的输出端，介由输出布线4A与输出端子垫5A相连接，功率晶体管1B的输出端，介由输出布线4B与输出端子垫5B相连接。另外，功率晶体管1A、1B的电源端，介由电源布线6共同地与电源端子垫7相连接。再者，有时也用接地代替电源。这时，电源端为地端，电源布线6为地布线，电源端子垫7为地端子垫。以下，相同。专利文献1特开平7-135299号公报这种现有装置中，功率晶体管1A、功率晶体管1B等，尽可能接近地邻接配置。但是，例如，即使功率晶体管1A、1B...
【技术保护点】
一种半导体装置，具有Ｎ个（Ｎ≥２）半导体功率单元，其特征在于：由Ｍ个（Ｍ≥２）分割单元构成所述各半导体功率单元，使属于不同的半导体功率单元的分割单元依次反复地排列来配置Ｎ×Ｍ个的分割单元，对应所述Ｎ个半导体功率单元，设置Ｎ个 输出端子垫，将来自属于所述各半导体功率单元的分割单元的输出布线，与所述各半导体功率单元对应的所述输出端子垫相连接。
【技术特征摘要】
JP 2003-10-20 2003-3585991.一种半导体装置，具有N个(N≥2)半导体功率单元，其特征在于由M个(M≥2)分割单元构成所述各半导体功率单元，使属于不同的半导体功率单元的分割单元依次反复地排列来配置N×M个的分割单元，对应所述N个半导体功率单元，设置N个输出端子垫，将来自属于所述各半导体功率单元的分割单元的输出布线，与所述各半导体功率单元对应的所述输出端子垫相连接。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于具有将所述N×M个分割单元与至少1个电源端子垫或者地端子垫相连接的电源布线或者地布线，所述电源布线或者地布线，由与所述输出布线的布线层不同的布线层形成。3.一种半导体装置，具有N个(N≥2)半导体功率单元，其特征在于具有由M个(M≥2)分割单元构成所述各半导体功率单元，使属于不同的半导体功率单元的分割单元依次反复地排列来配置N×M个的分割单元，将来自所述N×M个分割单元的输出布线与N×M个输出端子垫相连接并使各输出布线之间不交叉的半导体集成电路主体；和在所述半导体集成电路主体上，与所述N×M个输出端子垫电连接地配置有输出各输出信号的输出凸起，将在所述N个半导体功率单元之中的属于相同的功率单元的所述输出凸起，用在和所述半导体集成电路主体间介由绝缘层地设置的输出结合布线连接，再与用于向外部连接的输出外部电极连接的再布线层...
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