【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件、电子设备、电子仪器、半导体器件的制造方法和电子设备的制造方法，尤其适用于半导体组件等的层叠结构中。
技术介绍
原来的半导体器件中，为实现半导体芯片安装时的节省空间，例如特开平10-284683号公报所公开的那样，有边插入同种类的承载基板边三维安装半导体芯片的方法。但是，在边插入同种类的承载基板边三维安装半导体芯片的方法中，难以层叠不同种类组件，由于难以层叠不同种类芯片，出现不能提高节省空间的有效性的问题。
技术实现思路
因此本专利技术的目的是提供可实现不同种类组件的三维安装结构的半导体器件、电子设备、电子仪器、半导体器件的制造方法和电子设备的制造方法。为解决上述问题，根据本专利技术的一个形态的半导体器件，其特征在于包括具有包含相邻的2边的第一区域和以一个对角线为边界与上述第一区域相邻、和上述第一区域外形对称的第二区域的矩形承载基板；搭载在上述承载基板上的半导体芯片；沿着上述第一区域的上述2边按L字状设置的第一突出电极群；配置在上述第二区域以使得其与上述第一突出电极群的配置不对称的第二突出电极群。由此，可将突出电极群单面配置在承载基板上，经...
【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于包括：具有包含相邻的２边的第一区域和以一个对角线为边界与上述第一区域相邻、和上述第一区域外形对称的第二区域的矩形承载基板；搭载在上述承载基板上的半导体芯片；沿着上述第一区域的上述２边按Ｌ字状设置的第一突出电极群；配置在上述第二区域以使得其与上述第一突出电极群的配置不对称的第二突出电极群。
【技术特征摘要】
JP 2003-2-6 2003-0298411.一种半导体器件，其特征在于包括具有包含相邻的2边的第一区域和以一个对角线为边界与上述第一区域相邻、和上述第一区域外形对称的第二区域的矩形承载基板；搭载在上述承载基板上的半导体芯片；沿着上述第一区域的上述2边按L字状设置的第一突出电极群；配置在上述第二区域以使得其与上述第一突出电极群的配置不对称的第二突出电极群。2.一种半导体器件，其特征在于包括矩形的承载基板；搭载在上述承载基板上的半导体芯片；沿着在上述承载基板的第一顶点处相交的至少2个边设置的突出电极的未配置区域；沿着在与上述第一顶点相对的上述承载基板的第二顶点处相交的至少2个边设置的突出电极群。3.一种半导体器件，其特征在于包括矩形的承载基板；搭载在上述承载基板上的半导体芯片；沿着上述承载基板的至少第一边设置的突出电极的未配置区域；沿着与上述第一边相对的上述承载基板的第二边和与上述第二边相交的至少第三边设置的突出电极群。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于上述突出电极群按コ字状配置。5.一种半导体器件，其特征在于包括承载基板；避开以搭在上述承载基板的端部上的方式配置的半导体芯片的搭载区域，来配置在上述承载基板上的突出电极。6.一种半导体器件，其特征在于包括承载基板；搭载在上述承载基板上的半导体芯片；设置在上述承载基板上的多个连接台电极；配置在上述多个连接台电极的一部分上的突出电极。7.一种半导体器件，其特征在于包括第一承载基板；搭载在上述第一承载基板上的第一半导体芯片；矩形的第二承载基板；搭载在上述第二承载基板上的第二半导体芯片；沿着在上述第二承载基板的第一顶点处相交的至少2个边设置的突出电极的未配置区域；沿着在与上述第一顶点相对的上述第二承载基板的第二顶点处相交的至少2个边设置的，将上述第一半导体芯片配置在上述突出电极的未配置区域下面、结合于上述第一承载基板上的突出电极群。8.一种半导体器件，其特征在于包括第一承载基板；搭载在上述第一承载基板上的第一半导体芯片；矩形的第二承载基板；搭载在上述第二承载基板上的第二半导体芯片；沿着上述第二承载基板的至少第一边设置的突出电极的未配置区域；沿着与上述第一边相对的上述第二承载基板的第二边和与上述第二边相交的至少第三边设置的，将上述第一半导体芯片配置在上述突出电极的未配置区域下面、结合于上述第一承载基板上的突出电极群。9.一种半导体器件，其特征在于包括第一承载基板；搭载在上述第一承载基板上的第一半导体芯片；矩形的第二半导体芯片；沿着在上述第二半导体芯片的第一顶点处相交的至少2个边设置的突出电极的未配置区域；沿着在与上述第一顶点相对的上述第二半导体芯片的第二顶点处相交的至少2个边设置的，将上述第一半导体芯片配置在上述突出电极的未配置区域下面、结合于上述第一承载基板上的突出电极群。10.一种半导体器件，其特征在于包括第一承载基板；搭载在上述第一承载基板上的第一半导体芯片；...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。