电抛光半导体器件上金属互连的装置制造方法及图纸

用于抛光晶片（３１）上制作的金属层的电抛光装置包括电解液（３４）、抛光槽（１００）、晶片吸盘（２９）、流体入口（５，７，９）和至少一个阴极（１，２，３）。晶片吸盘（２９）吸住晶片（３１）并将其置于抛光槽（１００）内。电解液（３４）通过流体入口（５，７，９）送入抛光槽（１００）。然后，阴极（１，２，３）将电解电流施加于电解液来电抛光晶片（３１）。根据本发明专利技术的一个方面，可以电抛光晶片（３１）的分立部分来提高电抛光后的晶片的均匀性。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及到对半导体晶片上的金属层进行电抛光的方法和装置。更确切地说，本专利技术涉及到对制作在半导体晶片上的半导体器件中的互连进行电抛光的系统。
技术介绍
通常，半导体器件被制造在称为晶片或薄片的半导体材料组成的圆片上。更确切地说，晶片一开始切自硅锭。然后，晶片经历多次掩蔽、腐蚀和淀积工艺，以形成半导体器件的电子电路。在过去的几十年中，半导体工业根据Moore定律已经提高了半导体器件的容量，Moore定律预计每18个月半导体器件的容量增大一倍。借助于减小这些半导体器件的特征尺寸(亦即出现在器件上的最小尺寸)，已经获得了半导体器件功能的提高。实际上，半导体器件的特征尺寸已经从0.35微米迅速地减小到了0.25微米，且目前到了0.18微米。无疑，这一向更小半导体器件发展的趋势可能要进行到远超过亚0.18微米阶段。然而，对发展更强有力的半导体器件的一个潜在的限制因素是互连(将单个半导体器件的各个元件连接到一起和/或将任何数目的半导体器件连接到一起的导体线)中不断增大的信号延迟。随着半导体器件的特征尺寸的减小，器件上互连的密度提高。然而，各个互连更紧密的靠近增大了互连的线间电容，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用来对制作在晶片上的金属层进行电抛光的装置，它包含：用来抛光金属层的电解液；用来容纳晶片的抛光槽；用来将晶片吸住并将晶片置于所述抛光槽中的晶片吸盘；以及至少一个用来将所述电解液涂敷到晶片的喷射器，其中所述 喷射器将所述电解液涂敷到晶片的逐个部分，以便从晶片均匀地电抛光金属层。

【技术特征摘要】
US 1998-7-9 60/092,3161.一种用来对制作在晶片上的金属层进行电抛光的装置，它包含用来抛光金属层的电解液；用来容纳晶片的抛光槽；用来将晶片吸住并将晶片置于所述抛光槽中的晶片吸盘；以及至少一个用来将所述电解液涂敷到晶片的喷射器，其中所述喷射器将所述电解液涂敷到晶片的逐个部分，以便从晶片均匀地电抛光金属层。2.权利要求1的装置，其中所述喷射器沿一定路径移动，以便所述电解液涂敷到晶片的逐个部分。3.权利要求2的装置，其中所述喷射器沿平行于晶片的直线路径移动。4.权利要求2的装置，其中所述喷射器沿平行于晶片的曲线路径移动。5.权利要求2的装置，其中所述喷射器沿...

【专利技术属性】
技术研发人员：辉王，
申请(专利权)人：ACM研究公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]