等离子体清洗气体和等离子体清洁方法技术

如本发明专利技术所述的ＣＶＤ室的等离子体清洗气体是一种在用等离子体ＣＶＤ设备在基材上进行成膜处理后，用于清洁ＣＶＤ室内壁表面和部件表面上含硅沉积物的气体。这种清洗气体含有占体积１００％的氟气，通过放电可以使它产生等离子体。当占体积１００％的氟气通过放电产生等离子体并将用作清洗气体时，即便总气体流量为１０００ｓｃｃｍ同时室压为４００Ｐａ，仍可以得到特别突出的腐蚀速度并可以进一步稳定地产生等离子体。此外，在上述条件下还可以保证清洁的均一性。另外，氟气的含量为１００％，故而设备并不复杂，因此这种清洗气体有很好的实用性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于CVD室的等离子体清洗气体，这种气体被用来除去CVD室内壁表面或其它表面上在等离子体CVD(化学气相淀积)设备中进行成膜处理时产生的沉积物，在该设备中用二氧化硅、氮化硅等进行的成膜处理是在半导体等的基材表面进行的，本专利技术还涉及等离子体清洁CVD室的方法。更具体的，本专利技术涉及对于清洁内壁等上的沉积物有高均一性和优秀腐蚀速度的用于CVD室的等离子体清洗气体，并涉及等离子体清洁CVD室的方法。这里使用的术语“清洁的均一性”是指所产生等离子体的稳定性，它用以下的方法评定，同时也在实施例中加以描述。通过CVD已经被SiO2膜沉积的硅基片被用作样品并被置于下边的电极上，然后测量腐蚀速度。将对硅基片内表面中腐蚀速度均一性的评定作为清洁均一性的典型评价。以后同样用这种方法评定该性质。这里使用的术语“腐蚀速度”是指对清洁速度的评定，如实施例中所述，它是通过测量腐蚀干硅基片上SiO2薄膜的速度评定的。腐蚀速度被作为清洁的典型评价。以后同样用这种方法评定性质。
技术介绍
按照惯例，在用于半导体(如LSI等)制造的等离子体CVD设备中，大量的全氟代化合物，如CF4、C2F6、SF本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于ＣＶＤ室的等离子体清洗气体，它含有１００％体积的能够通过放电产生等离子体的氟气，并被用于在用等离子体ＣＶＤ设备在基材上进行成膜处理后清洁ＣＶＤ室内壁表面和置于ＣＶＤ室中的部件表面上的含硅沉积物。

【技术特征摘要】
JP 2001-8-30 261484/20011.用于CVD室的等离子体清洗气体，它含有100％体积的能够通过放电产生等离子体的氟气，并被用于在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后清洁CVD室内壁表面和置于CVD室中的部件表面上的含硅沉积物。2.如权利要求1所述的用于CVD室的等离子体清洗气体，其特征在于，含硅沉积物含有至少一种下列物质(1)硅，(2)含有硅以及氧、氮、氟和碳中至少一种的化合物，以及(3)含有金属硅化物的高熔点化合物。3.用于CVD室的等离子体清洁方法，这种方法包括，在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后，用由100％体积的氟气通过放电产生的等离子体来清洁CVD室内壁表面和置于CVD室中的部件表面上含硅沉积物。4.如权利要求3所述的用于CVD室的等离子体清洁法，其特征在于，含硅沉积物含有至少一种下列物质(1)硅，(2)含有硅以及氧、氮、氟和碳中至少一种的化合物，以及(3)含有金属硅化物的高熔点化合物。5.如权利要求3或4所述的用于CVD室的等离子体清洁法，其特征在于，清洁时，等离子体CVD设备的室压为50Pa-1000Pa，在阐述等离子体的部分引入氟气的流量为50sccm-1000sccm。6.如权利要求3-5中任一所述的用于CVD室的等离子体清洁法，其特征在于，用氟气产生等离子体是在已经引入氟气的等离子体CVD设备的加工室中通过放电进行的。7.用于CVD室的等离子体清洗气体，它含有能够通过放电产生等离子体的氟气和基本上不能与等离子体中的氟反应的气体，并被在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后清洁CVD室内壁表面和置于CVD室中的部件表面上含硅沉积物。8.如权利要求7所述的用于CVD室的等离子体清洗气体，其特征在于，能够通过放电产生等离子体的氟气的浓度为大于20％体积至小于1...

【专利技术属性】
技术研发人员：关屋章，三井有规，大平丰，米村泰辅，
申请(专利权)人：财团法人地球环境产业技术研究机构，独立行政法人产业技术总合研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]