温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
如本发明所述的ＣＶＤ室的等离子体清洗气体是一种在用等离子体ＣＶＤ设备在基材上进行成膜处理后，用于清洁ＣＶＤ室内壁表面和部件表面上含硅沉积物的气体。这种清洗气体含有占体积１００％的氟气，通过放电可以使它产生等离子体。当占体积１００％的氟气通过...该专利属于财团法人地球环境产业技术研究机构;独立行政法人产业技术总合研究所所有，仅供学习研究参考，未经过财团法人地球环境产业技术研究机构;独立行政法人产业技术总合研究所授权不得商用。