【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种适用于InN-GaN基蓝光半导体外延生长的导电尖晶石型结构MgIn2O4/MgO复合衬底材料及其制备方法。
技术介绍
以GaN为代表的宽带隙III-V族化合物半导体材料正在受到越来越多的关注，它们将在蓝、绿光发光二极管(LEDs)和激光二极管(LDs)、高密度信息读写、水下通信、深水探测、激光打印、生物及医学工程，以及超高速微电子器件和超高频微波器件方面具有广泛的应用前景。由于GaN熔点高、硬度大、饱和蒸汽压高，故要生长大尺寸的GaN体单晶需要高温和高压，波兰高压研究中心在1600℃的高温和20kbar的高压下才制出了条宽为5mm的GaN体单晶。在当前，要生长大尺寸的GaN体单晶的技术更不成熟，且生长的成本高昂，离实际应用尚有相当长的距离。蓝宝石晶体(α-Al2O3)，易于制备，价格便宜，且具有良好的高温稳定性等特点，α-Al2O3是目前最常用的InN-GaN外延衬底材料(参见Jpn.J.Appl.Phys.，第36卷，1997年，第1568页)。MgO晶体属立方晶系，NaCl型结构，晶格常数为0.4126nm，熔点为2800℃。因MgO晶体...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种导电尖晶石型结构MgIn2O4/MgO复合衬底材料，其特征是在MgO单晶上设有一层MgIn2O4，构成MgIn2O4/MgO复合衬底。2.根据权利要求1所述的MgIn2O4/MgO复合衬底材料的制备方法，其特征是利用射频磁控溅射方法在MgO单晶衬底上制备In2O3薄膜，然后在高温下，通过In2O3与MgO的固相反应，在MgO单晶衬底上形成MgIn2O4覆盖层。3.根据权利要求2所述的MgIn2O4/MgO复合衬底材料的制备方法，其特征是所述的射频磁控溅射技术是利用Ar+经电场加速后成为高能入射粒子撞击In2O3靶材，把部分动量传给靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成级联过程，在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量，离开靶被溅射出来，在离靶材的表面数厘米处放置的MgO单晶衬底上，附着、堆积从而淀积成In2O3薄膜。4.根据权利要求2所述的MgIn2O4/MgO复合衬底材料的制备方法，其特征在于它包括下列具体步骤<1>在MgO单晶衬底上制备In2O3薄膜将抛光、清洗过的MgO单晶衬...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐军，彭观良，周圣明，周国清，杭寅，李抒智，杨卫桥，赵广军，王海丽，刘军芳，李红军，吴锋，王静雅，司继良，庄漪，邹军，
申请(专利权)人：中国科学院上海光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：
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