【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是关于一种低温多晶矽(Low Temperature Poly Silicon，LTPS)薄膜电晶体液晶显示器，特别是一种低温多晶矽薄膜电晶体液晶显示器的制作方法。
技术介绍
随着簿膜电晶体(Thin Film Transistor，TFT)制作技术的快速进步，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)由于具有体积小、重量轻、消耗功率低等优点，而大量的应用于个人数位助理(PDA)、笔记型电脑、高画质彩色电视、行动电话等各式电子产品中。尤其低温多晶矽(Low Temperature PolySilicon，LTPS)薄膜电晶体液晶显示器可嵌入不同功能的积体电路(IC)于玻璃基板上，进而减少模组工程上所使用IC的数量，换言之，模组接点减少而可靠度提升。此外，此显示器的特点还有载体(电子或电洞)的移动度为非晶矽(amorphous silicon)的300倍、低耗电、高亮度、高解析度、轻薄短小、高品质及完美的系统整合性。请参照图1，为一低温多晶矽薄膜电晶体液晶显示器的基本结构。其制作方法首先于基板10上依序形成缓冲层12与第一金属层...
【技术保护点】
一种在基板上形成低温多晶矽薄膜电晶体液晶显示器的制造方法，该方法至少包含下列步骤：形成一缓冲层于该基板上；形成一第一金属层于该缓冲层上；使用一第一光罩对该第一金属层进行微影蚀刻程序，以定义薄膜电晶体的闸极结构； 形成一绝缘层于该缓冲层、该闸极结构与该基板表面上；形成一半导体层于该绝缘层上，做为该薄膜电晶体的通道区域使用；对该半导体层进行离子布值程序；形成一第二金属层于该半导体层上；使用一第二光罩对该第二金属层与该半 导体层进行微影蚀刻程序，以定义该薄膜电晶...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种在基板上形成低温多晶矽薄膜电晶体液晶显示器的制造方法，该方法至少包含下列步骤形成一缓冲层于该基板上形成一第一金属层于该缓冲层上；使用一第一光罩对该第一金属层进行微影蚀刻程序，以定义薄膜电晶体的闸极结构；形成一绝缘层于该缓冲层、该闸极结构与该基板表面上；形成一半导体层于该绝缘层上，做为该薄膜电晶体的通道区域使用；对该半导体层进行离子布值程序；形成一第二金属层于该半导体层上；使用一第二光罩对该第二金属层与该半导体层进行微影蚀刻程序，以定义该薄膜电晶体的主动区域与源极结构以及汲极结构；形成一保护层于该基板上；使用一第三光罩对该保护层进行微影蚀刻程序，以曝露出该汲极结构的部分区域；形成一透明电极层于该保护层上；以及使用一第四光罩对该透明电极层进行微影蚀刻程序，以定义画素电极于该保护层表面，且电性连接至该汲极结构。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，更包含对该半导体层进行准分子雷射回火程序，使得该半导体层的非晶矽结构转为多晶矽结构。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，上述的离子布值程序更包含下列步骤涂布光阻于该半导体层上，并对该基板施以背面曝光程序，定义一光阻图案以该光阻图案为罩幕，对该基板施以离子布值；以及移除该光阻图案。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，上述的第二光罩是使用half tone光罩与slit光罩其中的一种。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在对该第二金属层与该半导体层进行微影蚀刻程序时，更包含一去光阻的程序。6.一种在基板上形成低温多晶矽薄膜电晶体液晶显示器的制造方法，该方法至少包含下列步骤形成一缓冲层于该基板上；形成一第一金属层于该缓冲层上，并对该第一金属层进行第一微影蚀刻程序，以定义薄膜电晶体的闸极结构；形成一绝缘层于该缓冲层、该闸板结构与该基板表面上；形成一半导体层于该绝缘层上，做为薄膜电晶体的通道区域使用；涂布光阻于该半导体层，并对该基板施以背面曝光程序，定义一第一光阻图案以该第一光阻图案为罩幕，对该基板施以离子布值；移除该第一光阻图案；形成一第二金属层于该半导体层上，并对该第二金属层与该半导体层进行第二微影蚀刻程序，以定义该薄膜电晶体的主动区域与源极结构以及汲板结构；形成一保护层于该基板上，并对该保护层进行第三微影蚀刻程序，以曝露出该汲极...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈世龙，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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