用于RRAM应用的Ir基材上PCMO薄膜的低温处理制造技术

一种在用于ＲＲＡＭ装置的铱基材上涂敷ＰＣＭＯ薄膜的方法，包括：制备基材；在基材上沉积阻挡层；在阻挡层上沉积铱层；在铱层上旋涂ＰＣＭＯ层；以三步烘焙方法烘焙ＰＣＭＯ层和基材；在ＲＴＰ室中后烘退火该基材和ＰＣＭＯ层；重复所述的旋涂、烘焙和退火步骤直到ＰＣＭＯ层具有需要的厚度；退火基材和ＰＣＭＯ层；沉积顶电极；和完成ＲＲＡＭ装置。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在RRAM应用的铱基材上生长PCMO薄膜的方法，并且具体而言，涉及一种沉积多层Pr0.7Ca0.3MnO3(PCMO)以提供电阻层的技术。
技术介绍
Zhuang等在上述相关的申请中证明了一种在室温下操作、在铂基材上使用PCMO薄膜的电程序可控电阻、非易失性储存器装置。相关的申请描述了在基材上PCMO薄膜的制备步骤。在低热处理温度下，在铂基材上生长的PCMO薄膜显示了无定形或多晶结构。可以将结合这种PCMO薄膜的电阻器通过具有不同脉冲宽度的单脉冲可逆地程序控制为高或低的电阻状态。在这里描述了形成和程序控制这种结构的技术。
技术实现思路
一种在用于RRAM装置的铱基材上涂敷PCMO薄膜的方法，包括制备基材；在基材上沉积阻挡层；在阻挡层上沉积铱层；在铱上旋涂PCMO层；以三步烘焙方法烘焙PCMO层和基材；在RTP室中后烘退火(post-bakeannealing)该基材和PCMO层；重复所述的旋涂、烘焙和退火步骤直到PCMO层具有需要的厚度；退火基材和PCMO层；沉积顶电极；和完成RRAM装置。本专利技术的一个目的是提供一种在用于RRAM装置的Ir基材上沉积PCMO薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在用于ＲＲＡＭ装置的铱基材上涂敷ＰＣＭＯ薄膜的方法，该方法包含：　　　　制备基材；　　　　在所述的基材上沉积阻挡层；　　　　在所述的阻挡层上沉积铱层；　　　　在所述的铱层上旋涂ＰＣＭＯ层；　　　　以三步烘焙方法烘焙ＰＣＭＯ层和基材；　　　　在ＲＴＰ室内后烘退火所述的基材和所述的ＰＣＭＯ层；　　　　重复所述的旋涂、烘焙和退火步骤直到所述的ＰＣＭＯ层具有需要的厚度；　　　　退火所述的基材和所述的ＰＣＭＯ层；　　　　沉积顶电极；和　　　　完成所述的ＲＲＡＭ装置。

【技术特征摘要】
US 2003-3-10 10/384,8461.一种在用于RRAM装置的铱基材上涂敷PCMO薄膜的方法，该方法包含制备基材；在所述的基材上沉积阻挡层；在所述的阻挡层上沉积铱层；在所述的铱层上旋涂PCMO层；以三步烘焙方法烘焙PCMO层和基材；在RTP室内后烘退火所述的基材和所述的PCMO层；重复所述的旋涂、烘焙和退火步骤直到所述的PCMO层具有需要的厚度；退火所述的基材和所述的PCMO层；沉积顶电极；和完成所述的RRAM装置。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述制备基材包括制备含有顶层的硅基材，所述的硅基材取自硅、二氧化硅和多晶硅的材料。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积阻挡层包括沉积取自Ta、TaN、Ti、TiN、TiAlN、TaAlN、TiSiN、TaSiN、TiAl和TiAlN材料的阻挡层。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述旋涂包括选择PCMO前体，所述的前体取自Pr(CH3CO2)3·H2O、Ca(CH3CO2)2·H2O，和Mn(III)(CH3CO2)3·2H2O，在乙酸溶剂中。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述以三步烘焙方法烘焙PCMO层和基材包括在约50℃至150℃下烘焙约10秒至1小时的第一烘焙步骤；在温度为约100℃至200℃下烘焙约10秒至1小时的第二烘焙步骤，和在温度为约150℃至300℃下烘焙约10秒至1小时的第三烘焙步骤。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述在RTP室后烘退火所述的基材和所述的PCMO层包括在温度为约400℃至550℃退火约10秒至1小时。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述退火所述的基材和所述的PCMO层包括在温度为约450℃至550℃退火所述的基材和...

【专利技术属性】
技术研发人员：张风燕，庄维佛，潘威，许胜籘，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]