热处理装置以及热处理方法制造方法及图纸

提供热处理温度的收敛快并且在宽泛的处理温度范围温度稳定性高的热处理装置。热处理装置，具有对收容的被处理体进行热处理的处理室、沿处理室外面形成的流体通道、设置在流体通道中的前述热处理用的加热机构、使流体接触加热机构的加热面地通过流体通道的流体通过机构、在热处理过程中的至少一个阶段控制通过流体通道的流体的温度以及流量的控制机构。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及热处理装置以及采用了它的热处理方法，特别是涉及在半导体制造中用于在半导体基板上进行膜形成等的。
技术介绍
一般，在半导体装置的制造中，是用热处理成膜装置或CVD(化学气相沉积)装置等(以下，总称热处理装置)，多采用在半导体基板上形成多晶硅膜、氧化膜、氮化膜等薄膜的工序。这些热处理工序，随着器件的细微化，要求低温化，同时为了提高生产性又要求缩短处理时间。在特开平6-53141号公报上，介绍了如附图说明图10所示那样具有空冷装置、可望提高生产率的热处理装置。在图10中，热处理装置100，由以下部分构成用于对装在舟皿2上的半导体晶片1进行热处理的处理室3；与处理室3之间形成流体通道8、9并覆盖处理室3的外侧的保温部件7；设置在流体通道8、9中加热处理室3内的加热器6；与加热器6的加热面接触地使流体14(空气)通过流体通道8、9的送风机21(空冷装置)；设置在流体通道8、9入口的开闭阀19。送风机21可在一定风量下运行而空冷流体通道8、9。对半导体晶片1进行热处理时的处理室3的最高温度，根据处理对象而不同，例如，可分为低温(100℃～500℃)、中温(500℃～900℃)以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种热处理装置，其特征在于具有：对收容的被处理体进行热处理的处理室；沿处理室外面形成的流体通道；设置在流体通道中的前述热处理用的加热机构；使流体接触加热机构的加热面而通过流体通道的流体通过机构；在热处理中的至少一个时期控制通过流体通道的流体的温度以及流量的控制机构。

【技术特征摘要】
JP 2001-7-19 220125/20011.一种热处理装置，其特征在于具有对收容的被处理体进行热处理的处理室；沿处理室外面形成的流体通道；设置在流体通道中的前述热处理用的加热机构；使流体接触加热机构的加热面而通过流体通道的流体通过机构；在热处理中的至少一个时期控制通过流体通道的流体的温度以及流量的控制机构。2.如权利要求1所述的热处理装置，其特征在于控制机构，由在流体通道的上游对通过流体通道的流体进行冷却或加热的温度调节机构、控制通过流体通道的流体的流量的流量控制机构、检测处理室或被处理体的温度并控制温度调节机构和流量控制机构的驱动的流体控制部构成。3.如权利要求2所述的热处理装置，其特征在于流量控制机构，是设置在流体通道上的流量控制阀。4.如权利要求1所述的热处理装置，其特征在于流体通过机构，是并列设置在流体通道上且流量相互不同的多个送风量可变的风扇。5.如权利要求1到4的任何一项所述的热处理装置，其特征在于用于在半导体基板上形成薄膜时的热处理。6.如权利要求1所述的热处理装置，其特征在于控制机构，具有在流体通道中设置在处理室附近的第1加热机构和在流体通道的上游加热...

【专利技术属性】
技术研发人员：大南信之，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]