半导体集成电路装置及使用它的电子卡制造方法及图纸

一种半导体集成电路装置，包括：　　　　第１导电类型的半导体区域；　　　　具有第２导电类型的源／漏区的第１绝缘栅型场效应晶体管，所述第２导电类型的源／漏区形成在所述第１导电类型的半导体区域中且连接到输出端子；以及　　　　邻接所述源／漏区且在所述第１导电类型的半导体区域中形成的第２导电类型的半导体区域，所述第２导电类型的半导体区域连接到所述绝缘栅型场效应晶体管的栅极。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路装置使用它的电子卡，特别涉及对因向半导体集成电路装置自身充电、以及从半导体集成电路装置自身放电而引起的损坏所采取的对策。
技术介绍
半导体集成电路装置具有用于保护集成电路免受在输出端子上施加的过大电流而导致损坏的保护电路和保护功能等。这种试验规格由MIL(军事标准)和EIAJ(日本电子工业协会)制定。半导体集成电路装置不是以其单体方式使用，通常是组装在电子产品中来使用。因此，可认为在市场上半导体集成电路装置始终被连接在接地点或电源上。在MIL和EIAJ的试验规格中，使探针接触输出端子，将过大的电流施加几十纳秒(nsec)～几微秒(μsec)的时间并流过半导体集成电路装置。在这种试验中，半导体集成电路装置是连接到接地点或电源上的状态。在这种状态下保护电路和保护功能将半导体集成电路装置的过大的电流泄放到接地点或电源，保护集成电路。由此，即使意外地供给过大的电流，也难以损坏半导体集成电路装置，可提高组装了半导体集成电路装置的电子产品的可靠性和耐久性。近来，半导体集成电路装置的应用不仅是电子产品，而且也广泛应用于各种媒体、例如记录媒体、信息媒体中。现有的记录媒本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：泷泽诚，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：