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一种半导体集成电路装置，包括：　　　　第１导电类型的半导体区域；　　　　具有第２导电类型的源／漏区的第１绝缘栅型场效应晶体管，所述第２导电类型的源／漏区形成在所述第１导电类型的半导体区域中且连接到输出端子；以及　　　　邻接所述源／漏区且在所...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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