一种半导体晶片载具内部的污染采样方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体晶片载具内部污染的采样方法，该方法包括将一工具室（ｔｏｏｌ　ｃｈａｍｂｅｒ）置于一洁净室中，然后将该半导体晶片载具放置并且固定于该工具室内部，最后利用至少一喷嘴将萃取流体均匀喷洒至该半导体晶片载具的内部表面以及搜集该萃取流体。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提供，尤指一种12寸晶片传送盒(Front Opening Unified Pod，FOUP)内部的污染采样方法。
技术介绍
经济随着半导体产业工艺的进步以及经济效益的考量，晶片的直径也从过去8寸迈向12寸。为了减轻劳力并且使晶片能够安全、无磨损、无污染的传送，目前12寸晶片厂普遍采用正面打开的晶片传送盒(Front OpeningUnified Pod，FOUP)作为晶片载具(wafer carrier)，而FOUP的使用不但节省了无尘室的面积，同时亦可用于临时存放晶片，因此具有可操作性和可交换性的特点。请参考图1，图1为传统的12/8寸晶片传送盒10的示意图。如图1所示，12/8寸晶片传送盒10可以装载约25片晶片12，传送盒10的侧璧上设置有多个呼吸滤网(breathing filter)14，晶片传送盒10的主要功用随着不同制造程序将晶片12运送至各机台。由于12/8寸晶片约需经过300至600道工艺，例如光刻工艺以及离子注入工艺等等，因此在制作完成之后极可能造成传送盒10内壁化学污染，而传送盒10内部的化学污染物又会污染装载的晶片12，进而产生自我污染(sel本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶片载具内部污染的采样方法，该方法包括：放置一工具室于一洁净室中；以开口朝下的方式放置并且固定该半导体晶片载具于该工具室内部；利用至少一喷嘴将萃取流体均匀喷洒至该半导体晶片载具的内部表面；以及搜集该 萃取流体。

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶片载具内部污染的采样方法，该方法包括放置一工具室于一洁净室中；以开口朝下的方式放置并且固定该半导体晶片载具于该工具室内部；利用至少一喷嘴将萃取流体均匀喷洒至该半导体晶片载具的内部表面；以及搜集该萃取流体。2.如权利要求1的污染采样方法，其中该洁净室包括有一化学过滤装置以及一微粒过滤装置。3.如权利要求2的污染采样方法，其中该化学过滤装置用来去除氮氧化物以及硫氧化物。4.如权利要求1的污染采样方法，其中该工具室的开口内缘包括有一挡板，用来阻隔该洁净室内的空气进入该工具室。5.如权利要求1的污染采样方法，其中该喷嘴为一环型喷嘴。6.如权利要求1的污染采样方法，其中该萃取流体包括有去离子水以及载体气体。7.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：温瑞惠，丁慧敏，
申请(专利权)人：力晶半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]