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本发明公开了一种半导体晶片载具内部污染的采样方法，该方法包括将一工具室（ｔｏｏｌ　ｃｈａｍｂｅｒ）置于一洁净室中，然后将该半导体晶片载具放置并且固定于该工具室内部，最后利用至少一喷嘴将萃取流体均匀喷洒至该半导体晶片载具的内部表面以及搜集该萃...
该专利属于力晶半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力晶半导体股份有限公司授权不得商用。

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