稳定材料层性质的方法技术

本发明专利技术公开了一种稳定材料层的方法，此方法将多个存放于晶片盒的晶片，依序送入反应室中进行材料层沉积，之后并传送至持续通入特定气体的晶片盒中存放，直到晶片盒内所有晶片都已经过处理。由于在进行材料层的沉积过程中，已形成有材料层的晶片存放于持续通入气体的晶片盒中，因此可有效稳定材料层的性质，并减少出气现象所导致的污染。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体工艺，且特别涉及一种。
技术介绍
薄膜沉积是半导体工艺中很重要的步骤之一。一般而言，半导体组件是由层数不等且材质厚度不同的薄膜(材料层)所构成。这些薄膜(材料层)性质的稳定度会影响半导体组件的效能，因此在半导体工艺中，如何稳定材料层性质是很重要的。举例来说，在进行材料层的沉积时，通常是将多个晶片堆栈放置于一个晶片盒中，然后利用机器手臂依序从晶片盒中取出晶片传送到反应室中，进行材料层沉积步骤，之后再将已形成有材料层的晶片送回晶片盒中存放。由于晶片盒处于常压之下，因此，当第一片晶片被送回晶片盒时，晶片会从原本几乎近似真空的状态被移往大气中，而且其薄膜表面会与大气中的氧气产生氧化反应，此反应将造成晶片的阻值提高，且每一个晶片其氧化的程度会随着存放时间长短而有所不同，换言之，第一片晶片上的材料层性质会与最后一片晶片上的材料层性质不同。如此的差异对后续的工艺会造成一定程度的影响，进而影响半导体组件的稳定性及合格率。另外，已形成材料层的晶片被放回晶片盒中存放时，若此晶片表面会释放出反应残存的气体而产生所谓的出气现象(outgassing)，则从晶片上扩散出的气体会污染本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种稳定材料层性质的方法，该方法包括：提供一晶片；于该晶片上形成一材料层，该材料层的材质选自金属、金属氮化物、金属硅化物与氧化物所组成的族群；以及将该晶片放置于充满一气体的环境中，以稳定该材料层的性质。

【技术特征摘要】
1.一种稳定材料层性质的方法，该方法包括提供一晶片；于该晶片上形成一材料层，该材料层的材质选自金属、金属氮化物、金属硅化物与氧化物所组成的族群；以及将该晶片放置于充满一气体的环境中，以稳定该材料层的性质。2.如权利要求1所述的稳定材料层性质的方法，其中该材料层包括一层氮化钛薄膜，且该气体包括氮气，以使该氮化钛薄膜具有一致性的低阻值。3.如权利要求1所述的稳定材料层性质的方法，其中该材料层包括一层氮化钛薄膜，且该气体包括氧气，以使该氮化钛薄膜具有一致性的高阻值。4.如权利要求1所述的稳定材料层性质的方法，其中该材料层的材质为氮化钛、钛/氮化钛、硅化钨或氧化硅。5.如权利要求4所述的稳定材料层性质的方法，其中于该晶片上形成该材料层的方法包括化学汽相沉积法。6.如权利要求1所述的稳定材料层性质的方法，其中该气体为惰性气体、氮气或氧气。7.如权利要求1所述的稳定材料层性质的方法，其中该材料层的材质包括钴。8.如权利要求7所述的稳定材料层性质的方法，其中于该晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈菁华，
申请(专利权)人：力晶半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]