含有修饰层的有机薄膜晶体管器件及其加工方法技术

一种源／漏电极与栅绝缘层间含有修饰层的有机薄膜晶体管器件，由（１）－衬底，（２）－栅极，（３）－栅绝缘层，（４）－修饰层，（５）－源极，（６）－漏极，（７）－有机半导体层组成。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种源/漏电极与栅绝缘层间。
技术介绍
近年来，OTFT在柔性有源矩阵显示和柔性集成电路等方面显现出应用潜力。低功耗是OTFT实际应用的一个重要性质，C.D.Dimitrakopoulos等人提供了一种采用高介电常数材料为栅绝缘层(如钛酸钡，BZT)来实行低工作电压的方法(C.D.Dimitrakopoulos etal Science 283，822，1999)。遗憾的是，这种方法增大了器件的栅/源、栅/漏电极之间的漏电流。中国专利CN1409417公开了一种采用高介电常数材料为栅绝缘层，并在源和漏电极与栅绝缘层间含有低介电常数绝缘层结构的OTFT，该OTFT能够有效降低器件的栅/源、栅/漏电极之间的漏电流。当该绝缘层的厚度进一步降低后，采用自组织方法在栅绝缘层表面形成超薄修饰层的方法更方便。修饰层已经在OTFT器件中被采用，主要是改善有机半导体与源/漏电极的接触性质(Jackson工作，器件剖面示意图见附图1a)和改善有机半导体的薄膜形态结构(美国专利技术专利，US6433359，器件剖面示意图见附图1b)。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种在源/漏电极与栅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种源/漏电极与栅绝缘层间含有修饰层的有机薄膜晶体管器件，由(1)-衬底，(2)-栅极，(3)-栅绝缘层，(4)-修饰层，(5)-源极，(6)-漏极，(7)-有机半导体层组成。2.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管器件，其特征在于所述修饰层为有机材料和高分子材料。3.根据权利要求1、2所述的有机薄膜晶体管器件，其特征在于所述修饰层(4)所用材料满足分子式X-Y-Zn分子形成，其中X为下列端基1)、-H，-CH3，...；2)、-NH2，-CN，-Cl，...；3)、-NCO，-NH2，-CH＝CH2，...；Y为起连接作用的1-50个碳原子的直链或支链的烷基、卤代烷基或芳香环；Z为反应活性端基，基团结构为1)、-Si(OC2H5)3，-Si(OCH3)3，...；2)、-SiCl3，-Si(C2H5)2Cl，...；3)、-PO3H2，-OPO3H2，...；4)、苯并三唑(-C6H4N3)及其衍生物；5)、-OH，-SH，-SeH，...；6)、-COOH，-SO3H，...；7)、-CONHOH，-COSH，-COSeH，...；8)、-C5H4...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫东航，王军，张吉东，
申请(专利权)人：中国科学院长春应用化学研究所，
类型：发明
国别省市：