低温烧结的含铅系介电陶瓷及其制备方法技术

一种低温烧结的含铅系介电陶瓷，该陶瓷材料采用的基本组分为：Ｐｂ↓［１－ｘ］Ｓｒ↓［ｘ］（Ｎｉ↓［１／３］Ｎｂ↓［２／３］）↓［１－ｙ］Ｔｉ↓［ｙ］Ｏ↓［３］＋ｑ↓［１］ｍｏｌＭｎＯ↓［２］＋ｑ↓［２］ｍｏｌＺｎ（ＣＨ↓［３］ＣＯＯ）↓［２］＋ｑ↓［３］ｍｏｌＷＯ↓［３］＋ｑ↓［４］ｍｏｌＢａＣＯ↓［３］＋ｑ↓［５］ｍｏｌＣｕＯ，　　　　０．０５≤ｘ≤０．２０　　０≤ｙ≤０．４０　　　　０．００５≤ｑ↓［１］≤０．０１　　０＜ｑ↓［２］≤０．０１　　　　０．０１＜ｑ↓［３］≤０．０４　　０＜ｑ↓［４］≤０．０１　　　　０≤ｑ↓［５］≤０．０１　　　　低温烧结的含铅系介电陶瓷所用的原材料是化学纯化工原料氧化铅、醋酸镍、五氧化二铌、纳米二氧化钛、二氧化锰、醋酸锌、三氧化钨、碳酸锶、氧化铜和碳酸钡。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子陶瓷材料领域，特别涉及到一种。
技术介绍
由于现代数字化信息技术迅猛发展的需求，促进了电子技术产品在组装方式上向表面贴装技术发展，对电子元器件小型化、复合化、轻量化、多功能化及高可靠性等的全面要求，相继出现各类型片式电子元器件，如片式多层陶瓷电容器、片式电感、片式电阻等，如多层片式LC滤波器是其中一种高级复合功能元件，它不仅尺寸小，便于电路小型化，微型化，有利于元器件高密度安装，而且形状规整，一体化好，可靠性高，但它作为一种高新技术产品，在生产实际中也存在着很大的技术难点，就以烧结技术而言，对于一种应用广泛的电子陶瓷材料含铅系介电陶瓷，其烧结温度一般都在1200℃左右，如此高的烧结温度，一是能耗大；二是烧结过程中会出现严重的铅挥发(以PbO形式挥发于空气中)，不仅污染环境，而且会造成组分的偏差，影响介电性能，为了保证与原设计组分一致，常常要添加过量的PbO以补充已挥发的PbO，结果是造成不可忽视的空气污染；三是当代电子元器件向着微型化、片式化和高性能的方向发展，其往往要求功能陶瓷器件制备成多层复合集成化结构，由上所述可知，降低含铅系介电陶瓷的烧结温度不仅有利于节本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低温烧结的含铅系介电陶瓷，该陶瓷材料采用的基本组分为Pb1-xSrx(Ni1/3Nb2/3)1-yTiyO3+q1molMnO2+q2molZn(CH3COO)2+q3molWO3+q4molBaCO3+q5molCuO，0.05≤x≤0.20 0≤y≤0.400.005≤q1≤0.01 0＜q2≤0.010.01＜q3≤0.04 0＜q4≤0.010≤q5≤0.01低温烧结的含铅系介电陶瓷所用的原材料是化学纯化工原料氧化铅、醋酸镍、五氧化二铌、纳米二氧化钛、二氧化锰、醋酸锌、三氧化钨、碳酸锶、氧化铜和碳酸钡。2.根据权利要求1所述的低温烧结的含铅系介电陶瓷的制造方法，其特征在于，配料后经过如下步骤制作混合、磨细、过50目筛；经一次常规烘干；经750℃～850℃预烧，保温1～4小时；将烧结物粉碎后磨细，过200目筛，经二次常规烘干，造粒成型，将该瓷料干压成圆片；烧成温度范围为88...

【专利技术属性】
技术研发人员：田长生，高峰，杨祖培，王文斌，宋宏健，韩瀛，李伟斌，
申请(专利权)人：西安中天科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：