【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造工艺中离子注入所用的离子注入机，进一步是指离子注入机的晶片自转动装置。
技术介绍
现有技术中，强流氧离子注入机的工作过程是(参见图1)，来自气体管道的气体被送入离子源11中，送入离子源11的气体在离子源11的放电室中电离变成为等离子状态。离子由于电位差而被引出送至磁分析器21，该磁分析器21使离子束受磁场力作用而发生偏转，因各种离子的质量差而发生轨迹分离，所希望的离子被送至加速器31。在加速器31中离子被加速，使其达到预定的能量，经过四极透镜41聚焦，再经过偏转器51使中性离子分离，最终所需要的纯离子束被注入到旋转靶室61中的目标晶片上，通过测束法拉第，测量离子注入的剂量。为使离子束均匀注入到硅片上，离子注入机采用了利用磁聚焦系统将束拉成竖长条形在垂直方向覆盖整个晶片，水平方向通过靶盘旋转来扫描。剂量控制和均匀性测量利用靶盘上晶片之间的16个等面积的小孔来实现的，这些小孔在靶盘上的排列位置呈螺旋形(如图2所示)。这些小孔投影到垂直方向上，则是一排等间距的小孔，如图3所示。小孔后面是带有磁抑制的法拉第接收板。当靶盘旋转时，束流通过小孔到达...
【技术保护点】
一种强流氧离子注入机的晶片自转动装置，包括正面有多个晶片放置位置的靶盘７，其特征是，所述靶盘７的各晶片放置位置的中心部位有安装了滚珠轴承２、８的贯通轴孔９，对应于晶片放置位置的靶盘１的后部装有微型电动机１且其电动机转轴６装在所述贯通轴孔９的相应滚珠轴承２上并同装有滚珠轴承８的硅衬转盘轴５的一端相连接，该硅衬转盘轴５的另一端同安装在靶盘正面用于放置晶片３的硅衬转盘４中心部位相连接。
【技术特征摘要】
1.一种强流氧离子注入机的晶片自转动装置，包括正面有多个晶片放置位置的靶盘7，其特征是，所述靶盘7的各晶片放置位置的中心部位有安装了滚珠轴承2、8的贯通轴孔9，对应于晶片放置位置的靶盘1的后部装有微型电动机1且其电动机转轴6装在所述贯通轴孔9的相应滚珠轴承...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐景庭，伍三忠，贾京英，刘咸成，姚志丹，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十八研究所，北京中科信电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：43[中国|湖南]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。