半导体器件的布线结构制造技术

一个布线设置了一个与布线本体相连的替代布线，而该替代布线设有一个应力集中部，其中产生的张应力高于布线本体的张应力。在邻近应力集中部通过高密度等离子体ＣＶＤ形成一个绝缘膜，后者在应力集中部产生张应力。采用这种结构，可以避免在布线本体内任何位置出现空洞。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件的布线结构，布线具有应力集中部。
技术介绍
在一种半导体器件布线结构中，有可能由于应力转移而在布线(如一个通路或通路底)内出现空洞。另外，此空洞可能造成布线中断路而使半导体器件的可靠性变坏。为避免出现空洞，在日本特许公报7-106323和9-213800中所描述的半导体器件内，在布线的侧面做了一个具有压应力的绝缘膜，而在布线的顶面做了一个具有张应力的绝缘膜，两个膜都沿着布线的纵向。这些布线结构的目的是使布线内的应力释放，并通过张应力和压应力之间的相互缓冲作用而防止应力转移。另外，在日本特许公报8-264647所描述的一种半导体器件中，在半导体器件内提供了一个替代区，它不用作电路的一个元件。此替代区做得很接近布线又和它分开。这种结构的目的是通过在替代(dummy)区内优先产生空洞而防止在布线结构中出现空洞。在日本特许公报7-106323中所描述的那种半导体器件内，设置了具有压应力的绝缘膜和具有张应力的绝缘膜，使它们直接接触布线而通过压应力和张应力间的相互缓冲作用使应力释放。但是，这种半导体器件结构不足以防止在通路底等处局部出现空洞。此外，有可能由于都是用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的布线结构，布线中局部设置应力集中部，在该应力集中部内的张应力高于该布线其它部分的张应力。

【技术特征摘要】
JP 2003-6-10 165013/031.一种半导体器件的布线结构，布线中局部设置应力集中部，在该应力集中部内的张应力高于该布线其它部分的张应力。2.如权利要求1的半导体器件布线结构，其中布线具有与布线本体相连的替代布线，所述替代布线带应力集中部。3.如权利要求2的半导体器件布线结构，其中替...

【专利技术属性】
技术研发人员：浅井孝祐，飞松博，川田宏幸，泽田真人，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：JP[日本]