薄膜磁传感器及其制造方法技术

技术编号:3205435 阅读:166 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种薄膜磁传感器包含一对各自由轮磁材料组成的第一薄膜磁轭和第二薄膜磁轭,第一和第二薄膜磁轭设置为相互面对面,在它们中间介入一空隙;具有电阻率高于软磁材为电阻率的和形成于空隙中的GMR薄膜,以便电气连接至第一薄膜磁轭和第二薄膜磁轭;和由绝缘的非磁性材料组成的和作用是支持第一薄膜磁轭,第二薄膜磁轭和GMR薄膜的绝缘衬底。GMR薄膜在位于面对第二薄膜磁轭的第一薄膜磁轭的前表面上形成,和空隙长度由位于第一薄膜磁轭前表面上的GMR薄膜厚度所限定。(*该技术在2024年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及,尤其是适于探测汽车车轴,旋转编码器和工业传动装置等旋转方面的信息,适于探测液压缸或气缸的冲程位置,和车床滑动的位置和速度等方面的信息,适于探测工业焊接自动装置的电弧电流方面的信息,和适用于地磁方向传感器等的薄膜磁传感器,和制造特定薄膜磁传感器的方法。
技术介绍
磁传感器是一种电子器件,用于把探测到的电磁力值如电流,电压,电功率,磁场或磁通量等,探测到的动态量值如位置,速度,加速度,位移,距离,张力,压力,力矩,温度或湿度等和探测到的生物化学量值等通过磁场转换为电压。磁传感器按照磁场探测方法可分为如,空子传感器,各向异性磁阻(AMR)传感器和巨磁阻(GMR)传感器。在上面提到的磁传感器中间,GMR传感器在下列方面是有利的(1)GMR传感器在电阻率变化速率方面具有最大值,即下面给出的MR比明显地大于任何空子传感器和AMR传感器的MR比MR比=Δρ/ρ0,其中Δρ=ρH-ρ0,而ρH是指在外磁场H条件下的电阻率和ρ0是指在外磁场为零的条件下的电阻率。(2)GMR传感器的电阻值随着温度而变化,但其变化小于空子传感器的变化。(3)因为产生巨磁阻效应的材料是薄膜材料,故GMR本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜磁传感器,包含:一对各自由软磁材料形成的第一薄膜磁轭和第二薄膜磁轭,此第一和第二薄膜磁轭的放置位置是相互面对面,在它们中间介入一空隙;具有电阻率高于软磁材料的电阻率,且在空隙中形成的GMR薄膜,以便电气连接至第一薄膜 磁轭和第二薄膜磁轭;和由绝缘的非磁性材料组成且作用是支持第一薄膜磁轭,第二薄膜磁轭和GMR薄膜的绝缘衬底;其中GMR薄膜形成在位于面对第二薄膜磁轭的第一薄膜磁轭的前表面上,和空隙长度由位于面对第二薄膜磁轭的第一薄膜磁轭的前表 面上的GMR薄膜的厚度所限定。

【技术特征摘要】
JP 2003-5-28 2003-1515231.一种薄膜磁传感器,包含一对各自由软磁材料形成的第一薄膜磁轭和第二薄膜磁轭,此第一和第二薄膜磁轭的放置位置是相互面对面,在它们中间介入一空隙;具有电阻率高于软磁材料的电阻率,且在空隙中形成的GMR薄膜,以便电气连接至第一薄膜磁轭和第二薄膜磁轭;和由绝缘的非磁性材料组成且作用是支持第一薄膜磁轭,第二薄膜磁轭和GMR薄膜的绝缘衬底;其中GMR薄膜形成在位于面对第二薄膜磁轭的第一薄膜磁轭的前表面上,和空隙长度由位于面对第二薄膜磁轭的第一薄膜磁轭的前表面上的GMR薄膜的厚度所限定。2.按照权利要求1的薄膜磁传感器,其特征在于,第一薄膜磁轭的前表面和衬底的表面之间所作的角度处在0°至90°之间的范围。3.按照权利要求1的薄膜磁传感器,其特征在于,GMR薄膜是由一种金属一绝缘体系统纳米晶位材料组成。4.一种薄膜磁传感器,包含一对分别由软磁材料组成的第一薄膜磁轭和第二薄膜磁轭,此第一薄膜磁轭和第二薄膜磁轭放置的位置是相互面对面,在它们中间介入一空隙;其电阻率高于软磁材料的电阻率的,并在空隙中形成的GMR薄膜,以便可电气连接至第一薄膜磁轭和第二薄膜磁轭;由绝缘的非磁性材料组成且作用是支持第一薄膜磁轭,第二薄膜磁轭和GMR薄膜的绝缘衬底;此薄膜磁传感器由下列步骤取得(a)在绝缘衬底表面上形成由软磁材料组成的第一薄膜磁轭和包括位于面对第二薄膜磁轭的前表面;(b)在第一薄膜磁轭的前表面上沉积GMR薄膜,其方式是允许GMR薄膜电气连接至第一薄膜磁轭;和(c)在绝缘衬底的表面上形成...

【专利技术属性】
技术研发人员:小林伸圣白川究金田安司
申请(专利权)人:财团法人电气磁气材料研究所大同特殊钢株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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