半导体封装及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种能提高外部连接用的电极和布线的电连接的可靠性的半导体封装及其制造方法。所谓ＣＳＰ的半导体结构体（２）通过粘接层（３）而粘接在基片（１）的上面中央部上。在基片（１）的上面由树脂构成的矩形框状的绝缘层（１４）被设置成其上面与半导体结构体（２）的上面大致在同一面上。在半导体结构体（２）和绝缘膜（１４）的上面，使预浸材料完全固化而形成的绝缘膜（１５）设置成使其上面形成平坦状态。在绝缘膜（１５）的上面，设置了把金属片制作成图形而构成的上层再布线（１６）。在此情况下，与上层再布线（１６）的下面形成一体的尖头向下圆锥形状的凸起电极（１７），在进入到绝缘膜（１５）内的状态下与柱状电极（１２）的上面中央部相连接。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
过去的半导体封装具有所谓CSP(chip size package芯片尺寸封装)方式。该CSP是在形成了多个外部连接用的连接焊盘(pad)的半导体基片的上面设置绝缘膜，在绝缘膜与各连接焊盘相对应的部分设置开口部，从通过开口部而露出的连接焊盘上面开始，到绝缘膜上面的规定部位处设置布线(例如参见专利文献1)。在此情况下，在包括通过开口部而露出的连接焊盘上面在内的绝缘膜的整个上面，形成基底金属层，利用以基底金属层为电镀电流路的电解镀铜方式，在基底金属层上面的规定部位上形成布线，以布线为掩模把基底金属层的不需要的部分腐蚀掉，在布线下面仅剩下基底金属层。特开200-195890号公报(图8～图10)。但是，上述过去的半导体封装(外壳)，是在绝缘膜的与各连接焊盘相对应的部分上形成开口部，利用溅射法或非电解镀法来形成作为电镀电流路的基底金属层，用电解镀法来形成布线。所以，绝缘膜和基底金属层的粘接强度低，尤其在开口部的侧壁上也还容易产生断线等，从而使连接焊盘和布线的电连接的可靠性降低。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种能提高外部连接用的电极和布线的电连接的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装，其特征在于具有：至少一个半导体结构体（２），具有设置在半导体基片（４）上的多个外部连接用电极（１２）；绝缘膜（１５），用于覆盖上述半导体结构体（２）；以及布线（１６），它形成在上述绝缘膜（１５）上，　 　上述布线（１６）的凸起电极（１７）进入到与上述外部连接用电极（１２）相对应的上述绝缘膜（１５）的部分内，与上述外部连接用电极（１２）相连接。

【技术特征摘要】
JP 2003-5-21 2003-1428301.一种半导体封装，其特征在于具有至少一个半导体结构体(2)，具有设置在半导体基片(4)上的多个外部连接用电极(12)；绝缘膜(15)，用于覆盖上述半导体结构体(2)；以及布线(16)，它形成在上述绝缘膜(15)上，上述布线(16)的凸起电极(17)进入到与上述外部连接用电极(12)相对应的上述绝缘膜(15)的部分内，与上述外部连接用电极(12)相连接。2.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于所述半导体封装具有多个上述半导体结构体(2)。3.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于上述半导体结构体(2)包括连接焊盘(5)、与该连接焊盘(5)相连接的柱状的外部连接用电极(12)、以及设置在该外部连接用电极(12)周围的封装膜(13)。4.如权利要求3所述的半导体封装，其特征在于上述半导体结构体(2)包括对上述连接焊盘(5)、以及上述外部连接用电极(12)进行连接的布线(11)。5.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于上述绝缘膜(15)是薄片。6.如权利要求5所述的半导体封装，其特征在于上述绝缘膜(15)的上面是平坦的。7.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于上述凸起电极(17)由和上述布线(16)形成一体的凸起电极(17)构成。8.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于上述凸起电极(17)是利用固定在上述布线(16)上的金属膏形成的凸起电极(17)。9.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于上述凸起电极(17)是尖头向下圆锥形状。10.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于上述布线(16)具有连接焊盘部，并具有对上述连接焊盘部除外的部分进行覆盖的上层绝缘膜(18)。11.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于在上述绝缘膜(15)和上述布线(16)上具有1层以上的上层绝缘膜(44)、以及形成在上述各上层绝缘膜(44)上并与下层布线(42)的连接焊盘部相连接的上层布线(45)。12.如权利要求11所述的半导体封装，其特征在于具有对上述最上层的布线(45)的连接焊盘部除外的部分进行覆盖的上层绝缘膜(47)。13.如权利要求11所述的半导体封装，其特征在于上述上层布线(45)的至少一部分具有凸起电极(46)，该凸起电极(46)进入到上述下层绝缘膜(44)内，与上述下层布线(42)的连接焊盘部相连接。14.如权利要求11所述的半导体封装，其特征在于在上述最上层布线(45)的连接焊盘部上设置了焊锡球(49)。15.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于在上述半导体结构体的周侧面上设置了绝缘膜(14)。16.如权利要求15所述的半导体封装，其特征在于在上述半导体结构体(2)和上述绝缘膜(14)的下面，设置了基片(1)。17.一种半导体封装的制造方法，其特征在于具有以下工序利用绝缘膜(15)来覆盖具有多个外部连接用电极(12)的半导体结构体(2)的上面；在上述绝缘膜(15)上布置金属片(16a)，该金属片具有与上述各外部连接用电极(12)相对应的凸起电极(17)；把上述金属片(16a)的各凸起电极(17)插入到上述绝缘膜(15)内，使其与上述各外部连接用电极(12)相连接；把上述金属片(16a)制成图形，形成布线(16)。18.如权利要求17所述的半导体封装的制造方法，其特征在于上述半导体结构体(2)包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：若林猛，胁坂伸治，
申请(专利权)人：卡西欧计算机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]