【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，更具体地涉及适合于探测汽车车轴，旋转编码器以及工业齿轮等的转动的信息，适合于探测液压缸或汽缸的冲程位置以及机床滑块的位置和速度的信息，适于探测工业电焊自动装置有关弧光电流的信息，适合于在地磁方向传感器中使用的薄膜磁传感器以及具体的薄膜磁传感器的制造方法。
技术介绍
磁传感器是一种将探测的诸如电流，电压，电功率，磁场或磁通的电磁力值，探测的诸如位置，速度，加速度，位移，距离，应力，压力，扭矩，温度或湿度的动力量值，以及探测的生物化学量值通过磁场转换为电压的电子器件。根据对磁场的探测方法，磁传感器被分类为例如空穴传感器，各向异性磁致电阻(AMR)传感器，以及巨大磁致电阻传感器(GMR)。在上述磁传感器中，GMR传感器的优点在于(1)GMR传感器在电阻率的变化率，即下文将给出的显著大于任何空穴传感器和AMR传感器的MR比上有最大值MR比＝Δρ/ρ0，其中Δ＝ρH-ρ0，ρH指在外部磁场H下的电阻率，ρ0指外部磁场为零的条件下的电阻率。(2)GMR在电阻值上随温度有变化，该变化小于空穴传感器的变化。(3)因为产生巨大磁致电阻效应的材料是一种薄膜材料...
【技术保护点】
一种薄膜磁传感器包括： 一对薄膜磁轭，每一个磁轭由软磁材料形成，该薄膜磁轭被设置成互相面对，同时一个间隙介入其间； 一个ＧＭＲ薄膜，该ＧＭＲ薄膜被电连接到该对薄膜磁轭并具有高于软磁材料的电阻率；和 一个绝缘衬底，该绝缘衬底支撑薄膜磁轭和ＧＭＲ薄膜并由绝缘的非磁材料形成； 其中一个包括一个由绝缘的非磁材料形成的层次和一个ＧＭＲ薄膜的层次的多层次结构的间隙柱被设置在间隙中，在间隙的长度上ＧＭＲ薄膜的厚度均匀。
【技术特征摘要】
JP 2003-6-2 2003-1565511.一种薄膜磁传感器包括一对薄膜磁轭，每一个磁轭由软磁材料形成，该薄膜磁轭被设置成互相面对，同时一个间隙介入其间；一个GMR薄膜，该GMR薄膜被电连接到该对薄膜磁轭并具有高于软磁材料的电阻率；和一个绝缘衬底，该绝缘衬底支撑薄膜磁轭和GMR薄膜并由绝缘的非磁材料形成；其中一个包括一个由绝缘的非磁材料形成的层次和一个GMR薄膜的层次的多层次结构的间隙柱被设置在间隙中，在间隙的长度上GMR薄膜的厚度均匀。2.如权利要求1所述的薄膜磁传感器，其特征在于，其中GMR薄膜由金属-绝缘体系统纳米微粒材料形成。3.一种制造薄膜磁传感器的方法，包括的步骤为在由绝缘的非磁材料形成的绝缘衬底的表面上通过从绝缘衬底的一个表面区域去除该绝缘衬底的不必要部分，或通过在绝缘衬底的表面淀积一层由绝缘的非磁材料形成的薄膜而形成一个突起；形成一对定位成互相面对，同时该突起介入其间，互相完全电分离的薄膜磁轭，该薄膜磁轭通过在具有形成在其上的突起的绝缘衬底的表面淀积一层由一个软磁材料形成的薄膜，接着部分地去除该由软磁材料形成的薄膜，直至至少突起的一个顶端表面被暴露到外面时为止而形成；和在突起的顶端表面和邻近于该突起的薄膜磁轭的上表面淀积一层有高于软磁材料的电阻率的GMR薄膜，因此该GMR薄膜被电连接到薄膜磁轭的上表面。4.一种制造薄膜磁传感器的方法，包括的步骤为在由绝缘的非磁材料形成的绝缘衬...
【专利技术属性】
技术研发人员：小林伸圣，白川究，金田安司，
申请(专利权)人：财团法人电气磁气材料研究所，大同特殊钢株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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