光器件及其制造方法技术

本发明专利技术是由将陶瓷基板层叠而形成的凹形外壳（１３）、设置在该外壳（１３）的内部底面的沟槽（１９）、设置在该沟槽（１９）的内部的光半导体元件（２０）、覆盖外壳（１３）的开口部分而设置的盖体（１２）、以及在该盖体（１２）上形成的透镜（１１）所构成的光器件，通过在盖体（１２）上形成透镜（１１），能够提供廉价的光器件，能够实现光器件的小型化，并能降低高度。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光通信用的。
技术介绍
图7A及图7B所示为以往光通信用的光器件的例子。图7A及图7B所示的受光元件组件或发光元件组件由金属制帽盖1、与金属制帽盖1封接的透镜2、安装芯片用的金属底座3、从金属底座3的主表面引出到背面用的外部引出电极4、将外部引出电极4与金属底座3进行气密封接用的低熔点玻璃5、LED或PD等发光元件或受光元件6、以及将元件6的电极与外部引出电极4进行电气连接用的金属丝7而构成。作为金属制帽盖1及金属底座3，是采用为了防止氧化而对表面进行了Ni-Au等镀层处理的Fe-Ni-Co等合金。该金属制帽盖1与金属底座3进行电阻焊，形成气密封接的结构。气密封接的内部用氮气进行置换，或形成真空状态，以防止发光元件或受光元件6的时效恶化。但是，在上述以往的结构中，为了将外部引出电极4与金属底座3进行气密封接，必须进行孔加工，使外部引出电极4穿过底座3。这存在的问题是，除了由于该孔加工工序是多余的但又是必须的而增加成本外，还由于要埋入低熔点玻璃5，所以金属底座3的制造成本也增加。另外，为了使发光元件或受光元件6的电极与外部引出电极4进行电气连接，而使用金属丝7，但还存本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光器件，其特征在于，具有将陶瓷基板层叠而形成的凹形外壳、形成在所述外壳的底面上的沟槽、收容于所述沟槽中的光半导体元件、覆盖所述外壳的开口部的盖体、以及在所述盖体上形成的透镜。

【技术特征摘要】
JP 2003-7-17 2003-1983071.一种光器件，其特征在于，具有将陶瓷基板层叠而形成的凹形外壳、形成在所述外壳的底面上的沟槽、收容于所述沟槽中的光半导体元件、覆盖所述外壳的开口部的盖体、以及在所述盖体上形成的透镜。2.如权利要求1所述的光器件，其特征在于，还具有收容于所述外壳中的固定基板，所述固定基板将所述光半导体元件固定在所述沟槽内。3.如权利要求2所述的光器件，其特征在于，所述固定基板具有窗口，所述窗口的形状尺寸小于所述光半导体元件的外形尺寸，而且大于所述半导体元件的受光部或发光部的尺寸。4.如权利要求2所述的光器件，其特征在于，还具有设置在所述外壳的底面上的电极、所述光半导体元件的电极、以及所述固定基板的配线，所述固定基板的配线将所述半导体元件的电极与设置在所述外壳内的底面上的电极进行连接。5.如权利要求1所述的光器件，其特征在于，还具有夹在层叠的所述陶瓷基板之间的层间配线、贯穿所述陶瓷基板并将所述层间配线相互之间加以连接的通孔电极、以及设置在所述外壳的外侧的侧面和底面中的至少一个面上的外部电极，所述外部电极与所述层间配线连接。6.如权利要求1所述的光器件，其特征在于，所述沟槽具有两级或两级以上的台阶。7.如权利要求1所述的光器件，其特征在于，所述沟槽的形状是大于所述光半导体元件的形状的相似形状。8.如权利要求1所述的光器件，其特征在于，所述光半导体元件的受光面或发光面相对于所述透镜的光轴垂直配置。9.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：立畠直树，西原和成，指中伸夫，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]