单片流体喷射装置的制作方法制造方法及图纸

一种独石流体喷射装置的制作方法，包括以下步骤：　　　　提供衬底；　　　　形成图案化牺牲层于衬底的第一面上；　　　　形成图案化结构层于衬底上，并覆盖图案化牺牲层；　　　　形成图案化电阻层于结构层上，以形成加热器；　　　　形成图案化隔离层，并覆盖结构层，且其具有加热器接触窗和第一开口，其中加热器接触窗至少露出部分加热器；　　　　形成图案化导电层于结构层上，并经由加热器接触窗与加热器连接，以形成信号传送线路；　　　　形成图案化保护层于衬底上，并覆盖隔离层和导电层，且其具有信号传送线路接触窗和对应于第一开口的第二开口；　　　　形成流体通道于衬底的第二面上，以露出牺牲层，其中第二面与第一面相对；　　　　移除牺牲层以形成流体腔；以及　　　　沿第二开口和第一开口刻蚀结构层，从而形成与流体腔连通的喷孔。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种独石(monolithic)流体喷射装置的制作方法，特别是涉及一种独石流体喷射装置的制作过程的改善。
技术介绍
在一般独石流体喷射装置制作工艺中，由于通常微机电与集成电路制造厂为分别的厂商，将集成电路装置以及微机电组件分为两独立的制造流程，故通常是在集成电路制造厂先完成所有集成电路装置制作工艺后，再送入微机电系统制造厂，进行之后的微机电组件制作。但是在集成电路装置和微机电组件制作过程中，常使用相同的沉积金属、介电层以及刻蚀通孔等薄膜制作步骤，因而造成许多生产成本的重复增加以及浪费。公知的独石流体喷射装置，由于运用了部分微机电制作工艺，因此不需要封装工艺，便可在芯片上同时形成喷射装置所需的各项组件，如流体腔、加热器、驱动电路与喷孔等，具有较高的制造精度。然而就目前独石流体喷射装置的制作工艺而言，是先利用半导体工艺完成所需的驱动电路和加热器等组件，再利用微机电工艺完成所需的流体腔和喷孔等组件。图1A和1B示出的是公知的独石流体喷射装置的制作工艺的剖面图，其中图1A示出了利用半导体工艺所完成的前段工艺，图1B示出了利用微机电工艺所完成的后段工艺。请参见图1A，提供有衬本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种独石流体喷射装置的制作方法，包括以下步骤提供衬底；形成图案化牺牲层于衬底的第一面上；形成图案化结构层于衬底上，并覆盖图案化牺牲层；形成图案化电阻层于结构层上，以形成加热器；形成图案化隔离层，并覆盖结构层，且其具有加热器接触窗和第一开口，其中加热器接触窗至少露出部分加热器；形成图案化导电层于结构层上，并经由加热器接触窗与加热器连接，以形成信号传送线路；形成图案化保护层于衬底上，并覆盖隔离层和导电层，且其具有信号传送线路接触窗和对应于第一开口的第二开口；形成流体通道于衬底的第二面上，以露出牺牲层，其中第二面与第一面相对；移除牺牲层以形成流体腔；以及沿第二开口和第一开口刻蚀结构层，从而形成与流体腔连通的喷孔。2.如权利要求1所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中形成流体通道的步骤采用湿刻法完成。3.如权利要求1所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中移除牺牲层以形成流体腔的步骤采用湿刻法完成。4.如权利要求1所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中同时形成加热器接触窗和第一开口。5.如权利要求1所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中图案化保护层还具有信号传送线路接触窗，且信号传送线路接触窗至少露出部分信号传送线路。6.如权利要求5所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中同时形成信号传送线路接触窗和第二开口。7.如权利要求1所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中刻蚀结构层的步骤采用等离子体刻蚀、化学气体刻蚀、反应离子刻蚀或激光刻蚀工艺。8.如权利要求1所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中牺牲层的材料为硼磷硅酸盐玻璃、磷硅酸盐玻璃或氧化硅。9.如权利要求1所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中结构层的材料为氮化硅。10.如权利要求1所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中电阻层的材料为HfB2、TaAl、TaN或TiN。11.如权利要求1所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中导电层的材料为Al、Cu或其合金。12.如权利要求1所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中隔离层的材料为氧化硅。13.如权利要求1所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中保护层的材料为氧化硅、氮化硅、碳化硅或由其复合堆叠而成。14.一种独石流体喷射装置的制作方法，包括以下步骤提供衬底；形成图案化牺牲层于衬底的第一面上；形成图案化结构层于衬底上，且覆盖图案化牺牲层；形成图案化电阻层于结构层上，以形成加热器；形成图案化隔离层，并覆盖结构层，且其具有加热器接触窗，其中该加热器接触窗至少露出部分加热器；形成图案化导电层于结构层上，并经由加热器接触窗与加热器连接，以形成信号传送线路；形成保护层于衬底上，且覆盖隔离层和导电层；形成流体通道于衬底的第二面上，且第二面与第一面相对，以露出牺牲层；移除牺牲层以形成流体腔；以及刻蚀保护层、隔离层和结构层，以形成与流体腔连通的喷孔。15.如权利要求14所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中形成流体通道的步骤采用湿刻法完成。16.如权利要求14所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中移除牺牲层以形成流体腔的步骤采用湿刻法完成。17.如权利要求14所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中图案化保护层还具有信号传送线路接触窗，且信号传送线路接触窗至少露出部分信号传送线路。18.如权利要求17所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中同时形成信号传送线路接触窗和喷孔。19.如权利要求14所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中刻蚀结构层的步骤采用等离子体刻蚀、化学气体刻蚀、反应离子刻蚀或激光刻蚀工艺。20.如权利要求14所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中牺牲层的材料为硼磷硅酸盐玻璃、磷硅酸盐玻璃或氧化硅。21.如权利要求14所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中结构层的材料为氮化硅。22.如权利要求14所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中电阻层的材料为HfB2、TaAl、TaN或TiN。23.如权利要求14所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中导电层的材料为Al、Cu或其合金材料。24.如权利要求14所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中隔离层的材料为氧化硅。25.如权利要求14所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中保护层的材料为氧化硅、氮化硅、碳化硅或由其复合堆叠而成。26.一种独石流体喷射装置的制作方法，包括以下步骤提供衬底；形成图案化牺牲层于衬底的第一面上；形成图案化结构层于衬底上，且覆盖...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈苇霖，胡宏盛，李英尧，
申请(专利权)人：明基电通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：