薄膜晶体管阵列面板及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下工序：在基片上形成栅极线；在栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层；在半导体层上沉积下部导电层和上部导电层；光学蚀刻上部导电层、下部导电层、及半导体层；沉积钝化层；光学蚀刻钝化层露出上部导电层第一部分和第二部分；除去上部导电层第一及第二部分，露出下部导电层第一部分和第二部分；形成覆盖下部导电层第一部分的像素电极；除去下部导电层第二部分，露出半导体层一部分；在半导体层露出部分上形成间隔材料支柱。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
液晶显示器(LCD)是最广泛使用的平板显示装置之一，由形成电场产生电极的两个显示板和介于其之间的液晶层组成，向电极施加电压重新排列液晶层，从而调整通过液晶层的光透射率。液晶显示器中，目前主要使用的是在两显示板上分别设置电场产生电极的液晶显示器。其中，在一个显示板上多个像素电极以行列的形态排列、另一显示板上一个共同电极覆盖显示板全面的液晶显示装置被成为主流显示器。该液晶显示器中图像显示通过向各像素电极施加另外电压而形成。为此，与各像素电极连接控制向像素电极施加电压的三端子元件的薄膜晶体管，在显示板上设置传送控制该薄膜晶体管的信号的栅极线和传送向像素电极施加电压的数据线。这种液晶显示器阵列面板具有层叠多个导电层和绝缘层的层结构。栅极线、数据线、及像素电极由互不相同的导电层(以下分别称为栅极导电体、数据导电体、及像素导电体)组成，并通过绝缘层分离，通常从下往上顺次排列。具有这种层状结构的薄膜晶体管阵列面板通过多次薄膜形成及光学蚀刻工序制造，其中通过如何少量次数的光学蚀刻工序形成何种程度稳定的元件是决定制造成本的重要因素。
技术实现思路
本专利技术目的在于，提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下工序：在基片上形成栅极线；在所述栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层；在所述半导体层上沉积下部导电层和上部导电层；　光学蚀刻所述上部导电层、所述下部导电层、及所述半导 体层；沉积钝化层；光学蚀刻所述钝化层露出所述上部导电层第一部分和第二部分；除去所述上部导电层第一及第二部分，露出所述下部导电层第一部分和第二部分；形成覆盖所述下部导电层第一部分的像素电极；除去所述下部 导电层第二部分，露出所述半导体层一部分；以及在所...

【技术特征摘要】
KR 2003-8-11 2003-0055415;KR 2003-7-2 2003-00445811.一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下工序在基片上形成栅极线；在所述栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层；在所述半导体层上沉积下部导电层和上部导电层；光学蚀刻所述上部导电层、所述下部导电层、及所述半导体层；沉积钝化层；光学蚀刻所述钝化层露出所述上部导电层第一部分和第二部分；除去所述上部导电层第一及第二部分，露出所述下部导电层第一部分和第二部分；形成覆盖所述下部导电层第一部分的像素电极；除去所述下部导电层第二部分，露出所述半导体层一部分；以及在所述半导体层露出部分上形成间隔材料支柱。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述钝化层光学蚀刻工序中一起露出所述上部导电层第一部分和与其相邻的栅极绝缘层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述像素电极的工序中一起覆盖所述下部导电层第一部分和漏出的所述栅极绝缘层，形成像素电极。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在光学蚀刻所述钝化层的工序中露出所述上部导电层第三部分。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在除去所述上部导电层的工序中除去所述上部导电层第三部分，露出所述下部导电层第三部分。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述栅极线包括下部层和上部层。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述钝化层光学蚀刻工序中一起蚀刻所述栅极绝缘层，露出所述栅极线上部层一部分。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在除去所述上部导电层的工序中一起除去所述栅极线上部层露出部分，露出所述栅极线下部层一部分。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括形成覆盖所述下部导电层第三部分和所述栅极线下部层露出部分的接触辅助部件工序。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述栅极线上部层和所述上部导电层由相同材料组成。11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述栅极线的上部层和所述上部导电层由Cr组成，所述栅极线下部层和所述下部导电层由Al或Al-Nd合金组成。12.根据权利要求1-11中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述半导体层包括本征半导体层和非本征半导体层，且所述方法还包括以下工序除去所述下部导电层之后，除去所述非本征半导体层露出部分。13.一种薄膜晶体管阵列面板，包括基片；栅极线，在所述基片上形成并包含下部层和上部层；栅极绝缘层，在所述栅极线上形成；半导体层，在所述栅极绝缘层上形成；欧姆接触部件，在所述半导体层上形成；源极及漏极，在所述欧姆接触部件上形成，并包含下部层和上部层；钝化层，具有在所述源极及所述漏极上形成并露出所述漏极下部层一部分及相邻栅极绝缘层的第一接触孔及露出所述半导体层第一部分的开口部；像素电极，在所述钝化层上形成并通过所述第一接触孔与所述漏极下部层接触；以及间隔材料支柱，在所述半导体层露出部分上形成。14.根据权利要求13所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述开口部的至少一部分边界与所述半导体层第一部分一部分边界一致。15.根据权利要求13所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述漏极上部层的至少一部分边界与所述第一接触孔一部分一致。16.根据权利要求13所述的薄膜晶体管阵列面...

【专利技术属性】
技术研发人员：李正荣，柳世桓，全相镇，朴旻昱，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]