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本发明涉及一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下工序：在基片上形成栅极线；在栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层；在半导体层上沉积下部导电层和上部导电层；光学蚀刻上部导电层、下部导电层、及半导体层；沉积钝化层；光学蚀刻钝化层露出上部导电...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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