电光装置、电子设备和电光装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于，在电光装置中在以简单的结构实现小型化和高精度化的同时进行高质量的显示。在基板上设置数据线、扫描线、薄膜晶体管、存储电容、屏蔽层和像素电极。屏蔽层以配置在存储电容上的多个层间绝缘膜为基底在像素间的非开口区域内形成，并且由通过一气地贯通多个层间绝缘膜的接触孔与存储电容的固定电位侧电极电连接的第１导电性遮光膜构成。此外，屏蔽层与存储电容的固定电位侧电极电连接，像素电极配置在屏蔽层的更上层侧并且通过以多个层间绝缘膜为基底形成的一气地贯通多个层间绝缘膜的像素电极用接触孔与存储电容的像素电位侧电极电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及例如液晶装置等的电光装置以及例如液晶投影机等的电子设备的

技术介绍
这种电光装置，在基板上具备像素电极、用来进行该像素电极的选择性的驱动的扫描线、数据线、以及作为像素开关用元件的TFT(薄膜晶体管)，并构成为可进行有源矩阵驱动。此外，有时为了高对比度化(提高对比度)等的目的在TFT与像素电极之间设置存储电容。以上的构成要素被以高密度制作到基板上，从而可以实现像素开口率的提高或装置的小型化(例如，参看专利文献1)。这样，对于电光装置要求进一步的显示的高质量化或小型化和高精细化，除上述的以外还采取了各种各样的措施。例如，当向TFT的半导体层上照射光时，由于会发生光漏泄电流而使显示质量降低，所以在该半导体层的周围设置遮光层。此外，虽然优选存储电容的容量尽可能地大，但反之又希望采用不牺牲像素开口率的设计。而且，为了使装置小型化，优选地这些电路要素以高密度制作到基板上。专利文献1特开2002-156652号公报但是，在现有的结构中，以层间绝缘膜介于中间而被多层化的上述的布线或TFT、像素电极等要通过接触孔来实现相互间的连接。这样的电连接，虽然根据位置或者是通过垂直地截本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电光装置，其特征在于，具备：在基板上彼此交叉地进行延伸的数据线和扫描线；在上述基板上平面看与上述数据线和扫描线的交叉区域对应地配置的薄膜晶体管；在比上述薄膜晶体管更上层一侧形成的、具有以电介质膜介于中间而相对配置 的固定电位侧电极和像素电位侧电极的存储电容；配置在上述存储电容上的多个层间绝缘膜；在像素间的非开口区域内把上述多个层间绝缘膜一气地贯通的接触孔；在上述层间绝缘膜上形成的、并且由通过上述接触孔与上述存储电容的固定电位侧 电极电连接的第１导电性遮光膜构成的屏蔽层；在比上述屏蔽层更上层一侧的层间...

【技术特征摘要】
JP 2004-1-7 002095/2004;JP 2004-1-9 004130/2004;JP1.一种电光装置，其特征在于，具备在基板上彼此交叉地进行延伸的数据线和扫描线；在上述基板上平面看与上述数据线和扫描线的交叉区域对应地配置的薄膜晶体管；在比上述薄膜晶体管更上层一侧形成的、具有以电介质膜介于中间而相对配置的固定电位侧电极和像素电位侧电极的存储电容；配置在上述存储电容上的多个层间绝缘膜；在像素间的非开口区域内把上述多个层间绝缘膜一气地贯通的接触孔；在上述层间绝缘膜上形成的、并且由通过上述接触孔与上述存储电容的固定电位侧电极电连接的第1导电性遮光膜构成的屏蔽层；在比上述屏蔽层更上层一侧的层间绝缘膜上形成的、通过上述存储电容的像素电位侧电极与上述薄膜晶体管电连接的像素电极。2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于还具备平面看配置在上述非开口区域内并且配置在上述多个层间绝缘膜的层间的第2导电性遮光膜；上述接触孔，平面看贯通上述非开口区域中未形成上述第2导电性遮光膜的区域，上述像素电极对上述第2导电性遮光膜的一部分进行中继而与上述像素电位侧电极电连接。3.根据权利要求2所述的电光装置，其特征在于上述数据线，配置在配置有上述第2导电性遮光膜的层间绝缘膜之上，用与上述第2导电性遮光膜相同的材料构成。4.根据权利要求1到3中的任何一项所述的电光装置，其特征在于上述接触孔的一侧缘，平面看沿着上述薄膜晶体管的一端延伸。5.根据权利要求1到3中的任何一项所述的电光装置，其特征在于上述接触孔平面看以至少一部分与上述薄膜晶体管的一端重叠的方式配置。6.根据权利要求4或5所述的电光装置，其特征在于上述接触孔，在上述非开口区域的延伸方向上与上述薄膜晶体管并列，在上述非开口区域的宽度方向上，上述接触孔的宽度等于或大于上述薄膜晶体管的沟道区域的长度。7.根据权利要求1到6中的任何一项所述的电光装置，其特征在于上述接触孔，被形成为插塞。8. 根据权利要求1到6中的任何一项所述的电光装置，其特征在于上述接触孔，纵横比小于等于1。9.根据权利要求8所述的电光装置，其特征在于上述接触孔由在上述屏蔽层上形成的基底膜埋入，且上述基底膜的表面被实施了平坦化处理。10.一种电光装置，其特征在于，具备在基板上彼此交叉地进行延伸的数据线和扫描线；在上述基板上平面看与上述数据线和扫描线的交叉区域对应地配置的薄膜晶体管；在比上述薄膜晶体管更上层一侧形成的、具有以电介质膜介于中间而相对配置的固定电位侧电极和与上述薄膜晶体管电连接的像素电位侧电极的存储电容；配置在上述存储电容上的多个层间绝缘膜；由在比上述存储电容更上层一侧且平面看在像素间的非开口区域内的上述多个层间绝缘膜之间形成的、同时与上述固定电位侧电极电连接的第1导电性遮光膜构成的屏蔽层；把上述多个层间绝缘膜作为基底形成的、平面看在上述非开口区域内在不存在上述屏蔽层的区域将上述多个层间绝缘膜一气地贯通的像素电极用接触孔；通过上述像素电极用接触孔与上述存储电容的像素电位侧电极电连接的像素电极。11.根据权利要求10所述的电光装置，其特征在于上述像素电极用接触孔平面看沿着上述非开口区域的延伸方...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤尚，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]