薄膜晶体管阵列面板的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法。在基片上形成栅极线，在栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层，在半导体层上沉积铬导电层。接着对导电层及半导体层进行光学蚀刻后，沉积钝化层，对钝化层进行光学蚀刻并露出导电层的第一部分和第二部分。接着形成覆盖导电层第一部分的像素电极，同时除去导电层的第二部分，完成由导电层组成的数据线及与像素电极连接的漏极，露出源极及漏极之间的半导体层的一部分。接着在半导体层露出部分之上形成间隔柱。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
液晶显示器(LCD)是目前使用最广泛的平板显示装置之一，是由形成产生电场电极的两张显示面板和介入其间的液晶层组成，向电极施加电压，重新排列液晶层的液晶分子，从而调整通过液晶层的光透射比的显示装置。目前，液晶显示器中主要使用两个在显示面板分别具有产生电场电极的液晶显示装置。其中主流液晶显示器具有在一个显示面板上以行列的形态排列多个像素电极，另外显示板上一个共同电极覆盖显示面板的全部表面的结构。该液晶显示器中的图像显示通过向各像素电极施加单独电压形成。为此，控制施加于各像素的电压的三端子组件的薄膜晶体管与各像素电极连接，在显示面板设置传输控制该薄膜晶体管的信号的栅极线和传输施加于像素电极的电压的数据线。这种用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板通过几次形成薄膜及光学蚀刻工序制作，通过多少次的光学蚀刻工序形成多么稳定的组件是决定制造成本的主要因素。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种可最大限度降低制造成本的。为了实现上述目的，提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法。在基片上形成栅极线之后，在栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层，并沉积导电层。将导电层及半导体层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下工序：在基片上形成栅极线；在所述栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层；在所述半导体层上沉积导电层；对所述导电层及所述半导体层进行光学蚀刻；沉积钝化层；对所述钝化层进行光学蚀刻，露出所述导电层的第一部分和第二部分；形成覆盖所述导电层第一部分的像素电极，同时除去所述导电层的第二部分，完成由所述导电层组成的数据线及漏极；以及露出所述第二部分下部的所述半导体层一部分。

【技术特征摘要】
KR 2003-8-19 10-2003-00572951.一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下工序在基片上形成栅极线；在所述栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层；在所述半导体层上沉积导电层；对所述导电层及所述半导体层进行光学蚀刻；沉积钝化层；对所述钝化层进行光学蚀刻，露出所述导电层的第一部分和第二部分；形成覆盖所述导电层第一部分的像素电极，同时除去所述导电层的第二部分，完成由所述导电层组成的数据线及漏极；以及露出所述第二部分下部的所述半导体层一部分。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括形成覆盖所述半导体层露出部分的间隔柱的工序。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述间隔柱由有机层或无机层形成。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，光学蚀刻所述钝化层的工序中露出所述导电层的第三部分。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在形成所述像素电极的工序中形成覆盖所述第三部分的接触辅助部件。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在光学蚀刻所述钝化层的工序中露出所述栅极线的一部分。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述像素电极工序中形成覆盖所述栅极线一部分的接触辅助部件。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极线包括下部层和上部层。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在对所述钝化层进行光学蚀刻时一起蚀刻所述栅极绝缘层，露出所述栅极线的所述上部层的一部分。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括一起除去露出的所述栅极线上部层，露出栅极线下部层一部分的工序。11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电层由铬组成。12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述像素电极由IZO形成。13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极及所述导电层由铝或钼形成。14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述栅极线及所述导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴旻昱，白范基，李正荣，崔权永，郭相基，全相镇，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[]