薄膜晶体管阵列面板的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法。在基片上形成栅极线，在栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层，在半导体层上沉积铬导电层。接着对导电层及半导体层进行光学蚀刻后，沉积钝化层，对钝化层进行光学蚀刻并露出导电层的第一部分和第二部分。接着形成覆盖导电层第一部分的像素电极，同时除去导电层的第二部分，完成由导电层组成的数据线及与像素电极连接的漏极，露出源极及漏极之间的半导体层的一部分。接着在半导体层露出部分之上形成间隔柱。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
液晶显示器(LCD)是目前使用最广泛的平板显示装置之一，是由形成产生电场电极的两张显示面板和介入其间的液晶层组成，向电极施加电压，重新排列液晶层的液晶分子，从而调整通过液晶层的光透射比的显示装置。目前，液晶显示器中主要使用两个在显示面板分别具有产生电场电极的液晶显示装置。其中主流液晶显示器具有在一个显示面板上以行列的形态排列多个像素电极，另外显示板上一个共同电极覆盖显示面板的全部表面的结构。该液晶显示器中的图像显示通过向各像素电极施加单独电压形成。为此，控制施加于各像素的电压的三端子组件的薄膜晶体管与各像素电极连接，在显示面板设置传输控制该薄膜晶体管的信号的栅极线和传输施加于像素电极的电压的数据线。这种用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板通过几次形成薄膜及光学蚀刻工序制作，通过多少次的光学蚀刻工序形成多么稳定的组件是决定制造成本的主要因素。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种可最大限度降低制造成本的。为了实现上述目的，提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法。在基片上形成栅极线之后，在栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层，并沉积导电层。将导电层及半导体层进行光学蚀刻后，在其上部沉积钝化层，然后对钝化层进行光学蚀刻，露出导电层的第一部分和第二部分。接着，形成覆盖导电层第一部分的像素电极，同时除去导电层的第二部分，完成由导电层组成的数据线及栅极。接着，露出第二部分下部半导体层的一部分。这时，可以形成覆盖半导体层露出部分的间隔柱，优选地，间隔柱由玻璃或无机层形成。在钝化层的光学蚀刻工序中可以露出导电层的第三部分，优选地，在像素电极形成工序中形成覆盖第三部分的接触辅助部件。在钝化层光学蚀刻工序中可以露出栅极线的一部分，优选地，在像素电极形成工序中形成覆盖栅极线一部分的接触辅助部件。栅极线包括下部层和上部层，在钝化层光学蚀刻工序中一起蚀刻栅极绝缘层并露出栅极线上部层的一部分，同时除去露出的栅极线上部层，露出栅极线下部层的一部分。导电层可以由铬组成，优选地，像素电极由IZO形成，并且导电层可以由铝或钼形成，优先地，像素电极由ITO组成。优选地，半导体层包括本征半导体层和非本征半导体层，除去导电层后还包括除去非本征半导体层的露出部分的工序。通过这种制造工序完成的根据本专利技术实施例的薄膜晶体管阵列面板，在基片上形成包括栅极的栅极线，在覆盖栅极线的栅极绝缘层上部依次形成半导体层、欧姆接触部件及具有源极的数据线及漏极。在数据线及漏极上形成露出漏极的第一接触孔及具有露出源极及漏极间一部分半导体层的开口部的钝化层，在钝化层上形成通过第一接触孔与漏极连接的像素电极。这时，在开口部上钝化层的边界线与源极及漏极的边界线一致。还可以包括形成于半导体层露出部分之上的间隔柱。优选地，开口部的一部分边界与欧姆接触部件的边界一致。优选地，包括栅极线下部层和上部层，还包括覆盖一部分下部层的接触辅助部件。栅极线下部层由Cr组成，栅极线上部层由包括Al的导电层组成。数据线和漏极可以包括铬导电层，优选地，像素电极由IZO组成；栅极线、数据线及漏极包括包含铝的第一导电层和包含钼的第二导电层，优选地，像素电极由ITO组成。附图说明本专利技术将通过参照附图详细地描述其实施例而变得更加明显，其中图1是根据本专利技术一实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板布局图；图2是沿着图1所示的II-II′线的薄膜晶体管阵列面板截面图； 图3、图5、图7、及图9是根据本专利技术的一实施例制造图1及图2示出的薄膜晶体管阵列面板方法中间工序中的薄膜晶体管阵列面板的布局图，是按其顺序排列的图；图4是沿着图3所示的IV-IV′线的薄膜晶体管阵列面板截面图；图6是沿着图5所示的VI-VI′线的薄膜晶体管阵列面板截面图；图8是沿着图7所示的VIII-VIII′线的薄膜晶体管阵列面板截面图；图10是沿着图9所示的X-X′线的薄膜晶体管阵列面板截面图；图11是沿着图9所示的X-X′线的薄膜晶体管阵列面板截面图，是图10下一阶段图；图12是根据本专利技术另一实施列的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板的布局图；图13A及图13B是沿着图12所示的IIa-IIa′线及IIb-IIb′线的薄膜晶体管阵列面板截面图；图14、图16、图18、及图20是根据本专利技术一实施例制造图12、13A及图13B示出的薄膜晶体管阵列面板方法的中间工序中的薄膜晶体管阵列面板布局图，是按其顺序示出的图；图15A及图15B分别是沿着图14所示的XVa-XVa′线及XVb-XVb′线的薄膜晶体管阵列面板截面图；图17A及图17B分别是沿着图16所示的XVIIa-XVIIa′线及XVIIb-XVIIb′线的薄膜晶体管阵列面板截面图； 图19B及图19B分别是沿着图18所示的XIXa-XIXa′线及XIXb-XIXb′线的薄膜晶体管阵列面板截面图；图21A及图21B分别是沿着图20所示的XXIa-XXIa′线及XXIb-XXIb′线的薄膜晶体管阵列面板截面图；图22A及图22B分别是沿着图20所示的XXIa-XXIa′线及XXIb-XXIb′线的薄膜晶体管阵列面板截面图，是图21A及图21B下阶段图。具体实施例方式为了使本领域技术人员能够实施本专利技术，现参照附图详细说明本专利技术的优选实施例。但是，本专利技术可表现为不同形式，它不局限于在此说明的实施例。在附图中，为了清楚起见夸大了各层的厚度及区域。在全篇说明书中对相同元件附上相同的符号，应当理解的是当提到层、区域、基片、和基片等元件在别的部分“之上”时，指其直接位于别的元件之上，或者也可能有别的元件介于其间。相反，当某个元件被提到“直接”位于别的部分之上时，指并无别的元件介于其间。现在，参照附图详细说明根据本专利技术实施例的。首先，参照图1、图2详细说明根据本专利技术优选实施例的薄膜晶体管阵列面板结构。图1是根据本专利技术一实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板布局图，而图2是沿着图1所示的II-II′线的薄膜晶体管阵列面板截面图。在绝缘基片110上形成传输栅极信号的多个栅极线121。栅极线121基本上纵向延伸，各栅极线121的一部分向上凸出形成多个栅极124。栅极线121包括两个物理性质不同的层，即下部层和其上的上部层。上部层由低电阻率金属组成，例如铝或铝合金等铝系列金属，使其减少栅极信号延迟或电压下降。而下部层由其它材料组成，特别是与ITO或IZO有良好的物理、化学、电接触特性的材料，例如钼(Mo)、钼合金(钼-钨(MoW)合金)、铬等组成。组合下部层和上部层的优选实例为Cr/Al，Cr/Al-Nd合金等两个层。在图2中栅极124的下部层和上部层分别用附图标号124p、124q表示。在栅极线121上形成由氮化硅(SiNx)组成的栅极绝缘层140。在栅极绝缘层140上形成由氢化非晶硅(简称“a-Si”)组成的多个线型半导体151。线型半导体基本上沿纵向延伸，由此多个突出部154向栅极124延伸。在半导体151的上部形成由硅化物或重掺杂n型杂质的n+氢化非晶硅等材料组成的多个线型及岛状欧姆接触部件161、165。线型接触部件161具有数个突出部163，该突出部163与岛状接触部件165成对位于半导体151的突出部154上。半导体151和欧姆接触部件161、165的侧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下工序：在基片上形成栅极线；在所述栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层；在所述半导体层上沉积导电层；对所述导电层及所述半导体层进行光学蚀刻；沉积钝化层；对所述钝化层进行光学蚀刻，露出所述导电层的第一部分和第二部分；形成覆盖所述导电层第一部分的像素电极，同时除去所述导电层的第二部分，完成由所述导电层组成的数据线及漏极；以及露出所述第二部分下部的所述半导体层一部分。

【技术特征摘要】
KR 2003-8-19 10-2003-00572951.一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下工序在基片上形成栅极线；在所述栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层；在所述半导体层上沉积导电层；对所述导电层及所述半导体层进行光学蚀刻；沉积钝化层；对所述钝化层进行光学蚀刻，露出所述导电层的第一部分和第二部分；形成覆盖所述导电层第一部分的像素电极，同时除去所述导电层的第二部分，完成由所述导电层组成的数据线及漏极；以及露出所述第二部分下部的所述半导体层一部分。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括形成覆盖所述半导体层露出部分的间隔柱的工序。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述间隔柱由有机层或无机层形成。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，光学蚀刻所述钝化层的工序中露出所述导电层的第三部分。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在形成所述像素电极的工序中形成覆盖所述第三部分的接触辅助部件。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在光学蚀刻所述钝化层的工序中露出所述栅极线的一部分。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述像素电极工序中形成覆盖所述栅极线一部分的接触辅助部件。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极线包括下部层和上部层。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在对所述钝化层进行光学蚀刻时一起蚀刻所述栅极绝缘层，露出所述栅极线的所述上部层的一部分。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括一起除去露出的所述栅极线上部层，露出栅极线下部层一部分的工序。11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电层由铬组成。12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述像素电极由IZO形成。13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极及所述导电层由铝或钼形成。14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述栅极线及所述导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴旻昱，白范基，李正荣，崔权永，郭相基，全相镇，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[]