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本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法。在基片上形成栅极线，在栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层，在半导体层上沉积铬导电层。接着对导电层及半导体层进行光学蚀刻后，沉积钝化层，对钝化层进行光学蚀刻并露出导电层的第一部分和第二部分。接着...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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