蚀刻方法及使用蚀刻方法的电路装置的制造方法制造方法及图纸

一种提高蚀刻因数的蚀刻方法及使用该方法的电路装置的制造方法。本发明专利技术的蚀刻方法具有如下特征，首先，在作为被蚀刻材料的导电箔（１１）表面涂敷抗蚀剂（１０）。然后，通过使用曝光掩模１４有选择地使抗蚀剂（１０）曝光，从而有选择地使抗蚀剂变质。由此，形成剖面下部比上部大的残留区域的非曝光区域（１０Ａ）。然后，使用溶液清除除去残留区域的抗蚀剂（１０），将残留区域作为掩模，蚀刻导电箔。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是涉及一种提高蚀刻因数的蚀刻方法及使用该方法的电路装置的制造方法。
技术介绍
参照图11说明现有的蚀刻方法。参照图11(A)，在衬底102的表面形成有导电箔101。然后，在导电箔表面涂敷蚀刻用抗蚀剂100，以覆盖导电箔101的表面。参照图11(B)，通过曝光掩模(未图示)有选择地使抗蚀剂100曝光。在此，抗蚀剂100是阴型抗蚀剂，在对应作为导电图案残留的区域的抗蚀剂100上有选择地照射光线103。参照图11(C)，通过使用化学药剂溶化，有选择地使先前工序中照射光线的位置以外区域的抗蚀剂100剥离。然后，参照图11(D)，以残留的抗蚀剂100为掩模，进行蚀刻。其结果是，有选择地除去导电箔101，形成导电图案103。在此，由于蚀刻采用在大致各向同性下进行的湿蚀法，故导电图案103的剖面形成圆锥形状。参照图11(E)说明蚀刻因数。在此，设导电图案103侧面在最内侧侵蚀的位置和抗蚀剂上侧端部的距离为a1。另外，设导电箔101在纵向方向侵蚀的深度(即，在此是导电图案103的厚度)为t。在该条件下，蚀刻因数Ef由(Ef＝t/a1)表示。即表示，若该蚀刻因数值大，则被蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻方法，其特征在于，包括：在被蚀刻材料表面形成抗蚀剂的工序；通过使用曝光掩模有选择地曝光所述抗蚀剂，从而有选择地使所述抗蚀剂变质，形成剖面下部比上部大的残存区域的工序；使用溶液清除除去所述残留区域的所述抗蚀剂的工序；将所述残留区域作为掩模，蚀刻所述被蚀刻材料的工序。

【技术特征摘要】
JP 2003-9-2 310764/031.一种蚀刻方法，其特征在于，包括在被蚀刻材料表面形成抗蚀剂的工序；通过使用曝光掩模有选择地曝光所述抗蚀剂，从而有选择地使所述抗蚀剂变质，形成剖面下部比上部大的残存区域的工序；使用溶液清除除去所述残留区域的所述抗蚀剂的工序；将所述残留区域作为掩模，蚀刻所述被蚀刻材料的工序。2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述抗蚀剂是阴型抗蚀剂，通过使光线照射对应该阴型抗蚀剂的所述残留区域的区域，由透过所述阴型抗蚀剂并由所述被蚀刻材料表面反射的所述光线使所述残留区域的剖面下部比其上部大。3.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述抗蚀剂是阳型抗蚀剂，通过使光线照射该阳型抗蚀剂的去除区域，并且照射所述去除区域周边部的所述光线在所述抗蚀剂途中衰减，使所述残留区域的剖面下部比其上部大。4.一种电路装置的制造方法，其特征在于，包括准备导电箔的工序；在所述导电箔表面形成抗蚀剂的工序；通过使用曝光掩模有选择地曝光所述抗蚀剂，而有选择地使所述抗蚀剂变质，形成剖面下部比上部大的残存区域的工序；使...

【专利技术属性】
技术研发人员：森真也，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]