整合闪存与高电压组件的制造方法技术

一种整合闪存与高电压组件的制造方法，其特征在于，该制造方法至少包含：　　　　提供一基材，该基材至少包含一高电压组件区与至少一闪存区；　　　　形成一浮置闸极层于该基材上；　　　　定义出至少一闸极闪存的位置于该闪存区中；　　　　形成一闸极介电层于该闪存区中的部分该浮置闸极层上；　　　　去除该高电压组件区中的部分浮置闸极层，以定义出至少一高电压组件的一操作区；以及　　　　形成一闸极氧化层于该高电压组件区的该操作区中。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路组件，尤其涉及一种整合闪存与高电压组件于同一集成电路的制造方法。
技术介绍
闪存(Flash Memory)是根据计算机的随机存取内存(RAM)所得到的灵感而研发的一种半导体技术，为一固态的储存系统，仅需非常少的电源就可通过有效率的记忆区段(Block)方式，瞬间可更改内部，且储存完毕之后并不需要任何的电源来保留。其它固态内存如只读存储器(Read Only Memory；ROM)、静/动态随机存取内存(SRAM/DRAM)、电可擦除只读存储器(Electrically ErasableProgrammable Read Only Memory；EEPROM)，现与闪存都被广泛地应用。在这些固态内存中，闪存具有非挥发性、可重复读写、高密度与耐久性等特色，成为具有最佳质量的储存媒体。根据内存晶体管设计结构的不同可分为晶胞形式(Cell Type)以及操作形式(Operation Type)两种，其中晶胞形式又可分为自行排齐闸极(Self-AlignedGate)(即堆栈闸极(Stack Gate))以及分裂闸极(Split Gate)两种。而相较之下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种整合闪存与高电压组件的制造方法，其特征在于，该制造方法至少包含提供一基材，该基材至少包含一高电压组件区与至少一闪存区；形成一浮置闸极层于该基材上；定义出至少一闸极闪存的位置于该闪存区中；形成一闸极介电层于该闪存区中的部分该浮置闸极层上；去除该高电压组件区中的部分浮置闸极层，以定义出至少一高电压组件的一操作区；以及形成一闸极氧化层于该高电压组件区的该操作区中。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该高电压组件区的该操作区中闸极氧化层的形成步骤，同时增厚该闸极介电层的厚度。3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括该浮置闸极层形成后，形成一罩幕层覆盖于该浮置闸极层上；以及进行一微影蚀刻制程，在该罩幕层中形成至少一开口而暴露出该浮置闸极层，且该闸极介电层形成于该开口中。4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括该浮置闸极层形成后，去除该高电压组件区的该操作区中的部分浮置闸极层；形成一罩幕层覆盖于该浮置闸极层上；以及进行一微影蚀刻制程，在该罩幕...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴浩铨，曾健庭，何大椿，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：