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一种整合闪存与高电压组件的制造方法，其特征在于，该制造方法至少包含：　　　　提供一基材，该基材至少包含一高电压组件区与至少一闪存区；　　　　形成一浮置闸极层于该基材上；　　　　定义出至少一闸极闪存的位置于该闪存区中；　　　　形成一闸极介电层...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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